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Paramétrages

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1. WO2005004243 - PHOTODIODE EXEMPTE DE DEPLETION A COURANT D'OBSCURITE SUPPRIME ET SON PROCEDE DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2005/004243
Date de publication 13.01.2005
N° de la demande internationale PCT/IL2004/000573
Date du dépôt international 28.06.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 26.04.2005
CIB
H01L 31/101 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
CPC
H01L 31/101
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
101Devices sensitive to infra-red, visible or ultra-violet radiation
Déposants
  • SEMI-CONDUCTOR DEVICES - AN ELBIT SYSTEMS - RAFAEL PARTNERSHIP [IL/IL]; P.O. Box 2250 31021 Haifa, IL (AllExceptUS)
  • KLIPSTEIN, Philip [IL/IL]; IL (UsOnly)
Inventeurs
  • KLIPSTEIN, Philip; IL
Mandataires
  • LUZZATTO, Kfir ; P.O. Box 5352 84152 Beer Sheva, IL
Données relatives à la priorité
15674402.07.2003IL
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) DEPLETION-LESS PHOTODIODE WITH SUPPRESSED DARK CURRENT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) PHOTODIODE EXEMPTE DE DEPLETION A COURANT D'OBSCURITE SUPPRIME ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé
(EN)
The invention relates to a photo-detector with a reduced G-R noise, which comprises a sequence of a p-type contact layer, a middle barrier layer and an n-type photon absorbing layer, wherein the middle barrier layer has an energy bandgap significantly greater than that of the photon absorbing layer, and there is no layer with a narrower energy bandgap than that in the photon-absorbing layer.
(FR)
L'invention concerne un photodétecteur doté d'un bruit de génération/combinaison réduit comprenant une séquence d'une couche de contact de type p, d'une couche de barrière moyenne et d'une couche d'absorption photonique de type n, ladite couche de barrière moyenne possédant une bande interdite considérablement supérieure à celle de la couche d'absorption photonique. Il n'existe aucune couche à bande interdite plus étroite que celle située dans la couche d'absorption photonique.
Également publié en tant que
US2007235758
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