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Paramétrages

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1. WO2005004233 - PROCEDE D'OBTENTION D'UNE STRUCTURE COMPRENANT UN SUBSTRAT SUPPORT ET UNE COUCHE ULTRAMINCE

Numéro de publication WO/2005/004233
Date de publication 13.01.2005
N° de la demande internationale PCT/FR2004/001369
Date du dépôt international 03.06.2004
CIB
H01L 21/762 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76Réalisation de régions isolantes entre les composants
762Régions diélectriques
CPC
H01L 21/76254
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
7624using semiconductor on insulator [SOI] technology
76251using bonding techniques
76254with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
H01L 21/76259
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
7624using semiconductor on insulator [SOI] technology
76251using bonding techniques
76259with separation/delamination along a porous layer
Déposants
  • S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques F-38190 Bernin, FR (AllExceptUS)
  • COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE [FR/FR]; 31-33 rue de la Fédération F-75752 Paris, FR (AllExceptUS)
  • AULNETTE, Cécile [FR/FR]; FR (UsOnly)
  • BATAILLOU, Benoît [FR/FR]; FR (UsOnly)
  • GHYSELEN, Bruno [FR/FR]; FR (UsOnly)
  • MORICEAU, Hubert [FR/FR]; FR (UsOnly)
Inventeurs
  • AULNETTE, Cécile; FR
  • BATAILLOU, Benoît; FR
  • GHYSELEN, Bruno; FR
  • MORICEAU, Hubert; FR
Mandataires
  • CABINET REGIMBEAU; Espace Performance Bâtiment K F-35760 Saint Gregoire, FR
Données relatives à la priorité
03/0684306.06.2003FR
Langue de publication français (FR)
Langue de dépôt français (FR)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR OBTAINING A STRUCTURE HAVING A SUPPORTING SUBSTRATE AND AN ULTRA-THIN LAYER
(FR) PROCEDE D'OBTENTION D'UNE STRUCTURE COMPRENANT UN SUBSTRAT SUPPORT ET UNE COUCHE ULTRAMINCE
Abrégé
(EN)
The invention relates to a method for obtaining a structure having at least one supporting substrate (3), an ultra-thin layer produced from a source substrate (1), particularly made of semiconductor material and optionally having an inserted layer. The inventive method comprises the following steps: a) adhering, by molecular adhesion, a supporting substrate (3) to the front face (10) of a source substrate (1) that has a fragilization area (12) which delimits a useful layer (13) to be transferred whose width is distinctly larger than that of said ultra-thin layer (130); b) removing said supporting substrate (3) from the remainder (14) of the source substrate (1) along said fragilization area (12) whereby obtaining an intermediate structure having at least said transferred useful layer (13) and said supporting substrate (3); c) thinning this transferred useful layer (13) until obtaining the ultra-thin layer. The invention is for use in the manufacture of substrates in the fields of electronics, optoelectronics or optics.
(FR)
L'invention concerne un procédé d'obtention d'une structure comprenant au moins un substrat support (3), une couche ultramince issue d'un substrat source (1) notamment en matériau semi-conducteur et éventuellement une couche intercalaire et comprenant les étapes consistant à : a) coller par adhésion moléculaire un substrat support (3) sur la face avant (10) d'un substrat source (1) qui présente une zone de fragilisation (12) délimitant une couche utile (13) à transférer dont l'épaisseur est notablement plus grande que celle de ladite couche ultramince (130), b) détacher ledit substrat support (3) du reste (14) du substrat source (1), le long de ladite zone de fragilisation (12), de façon à obtenir une structure intermédiaire comprenant au moins ladite couche utile (13) transférée et ledit substrat support (3), c) procéder à l'amincissement de ladite couche utile (13) transférée jusqu'à obtenir ladite couche ultra mince.Application à la fabrication de substrats dans les domaines de l'électronique, l'optoélectronique ou l'optique.
Également publié en tant que
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