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1. WO2005004223 - PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM D'ISOLATION A FAIBLE PERMITTIVITE DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT LEDIT PROCEDE ET DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM D'ISOLATION A FAIBLE PERMITTIVITE

Numéro de publication WO/2005/004223
Date de publication 13.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/009330
Date du dépôt international 01.07.2004
CIB
H01L 21/312 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
312Couches organiques, p.ex. couche photosensible
CPC
H01L 21/02137
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02123the material containing silicon
02126the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
02137the material comprising alkyl silsesquioxane, e.g. MSQ
H01L 21/02203
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02203the layer being porous
H01L 21/02282
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02225characterised by the process for the formation of the insulating layer
0226formation by a deposition process
02282liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
H01L 21/0234
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02296characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
02318post-treatment
02337treatment by exposure to a gas or vapour
0234treatment by exposure to a plasma
Déposants
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 〒1078481 東京都港区赤坂五丁目3番6号 Tokyo 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481, JP (AllExceptUS)
  • 井出 真司 IDE, Shinji [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 佐々木 勝 SASAKI, Masaru [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 星野 聡彦 HOSHINO, Satohiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 井出 真司 IDE, Shinji; JP
  • 佐々木 勝 SASAKI, Masaru; JP
  • 星野 聡彦 HOSHINO, Satohiko; JP
Mandataires
  • 金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo; 〒1620065 東京都新宿区住吉町1−12 新宿曙橋ビル はづき国際特許事務所 Tokyo Kanemoto, Kameya, Hagiwara and Inoue Shinjuku Akebonobashi Building 1-12, Sumiyoshi-cho,Shinjuku-ku Tokyo, 1620065, JP
Données relatives à la priorité
2003-19050102.07.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF FORMING LOW-PERMITTIVITY INSULATION FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE METHOD AND LOW-PERMITTIVITY INSULATION FILM FORMING DEVICE
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM D'ISOLATION A FAIBLE PERMITTIVITE DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT LEDIT PROCEDE ET DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM D'ISOLATION A FAIBLE PERMITTIVITE
(JA) 半導体装置の低誘電率絶縁膜形成方法,その方法を用いた半導体装置および低誘電率絶縁膜形成装置
Abrégé
(EN)
An insulation film in a semiconductor device which is cured in a short time with a low permittivity maintained. A coating film consisting of a porous MSQ is formed on a substrate, the porous MSQ-formed substrate is placed in a vacuum container, a high-density plasma processing is performed at a low electron temperature by microwave excitation using a plasma substrate processing device to thereby cause an inter-molecular dehydrated condensation reaction by a hydroxyl group in a molecule constituting the porous MSQ and a hydroxyl group in another molecule and bond molecules, whereby a cured insulation film is produced with a low permittivity maintained.
(FR)
L'invention concerne un film d'isolation situé dans un dispositif semi-conducteur, durci en peu de temps, tandis qu'est maintenue une faible permittivité. Un film de revêtement comprenant un MSQ poreux est formé sur un substrat, ledit substrat formé à MSQ poreux est placé dans un contenant sous vide, un traitement au plasma de densité élevée est réalisé à une température d'électrons faible par excitation de micro-ondes, à l'aide d'un dispositif de traitement de substrat au plasma, de manière à produire une réaction de condensation déshydratée intermoléculaire avec un groupe hydroxyle dans une molécule constituant le MSQ poreux et un groupe hydroxyle dans une autre molécule et des molécules de liaison, un film d'isolation durci étant produit avec une permittivité faible maintenue.
(JA)
 半導体装置の絶縁膜において低誘電率を維持しながら短時間で硬化させることを目的とする。  基板上に多孔質MSQからなる塗布膜を形成し,真空容器内に多孔質MSQが形成された基板を載置して,プラズマ基板処理装置を用いてマイクロ波励起によって低電子温度で高密度プラズマ処理することにより,多孔質MSQを構成するある分子中の水酸基と,別の分子の水酸基による分子間脱水縮合反応を起こさせて分子間を結合させ,低誘電率を維持しながら硬化させた絶縁膜を生成する。
Également publié en tant que
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