Traitement en cours

Veuillez attendre...

PATENTSCOPE sera indisponible durant quelques heures pour des raisons de maintenance le dimanche 05.04.2020 à 10:00 AM CEST
Paramétrages

Paramétrages

1. WO2005004220 - PROCEDE DE PRODUCTION DE FILMS DIELECTRIQUES A FAIBLE CONSTANTE DIELECTRIQUE

Numéro de publication WO/2005/004220
Date de publication 13.01.2005
N° de la demande internationale PCT/EP2004/050989
Date du dépôt international 02.06.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 06.11.2004
CIB
C09D 183/04 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
DCOMPOSITIONS DE REVÊTEMENT, p.ex. PEINTURES, VERNIS OU VERNIS-LAQUES; APPRÊTS EN PÂTE; PRODUITS CHIMIQUES POUR ENLEVER LA PEINTURE OU L'ENCRE; ENCRES; CORRECTEURS LIQUIDES; COLORANTS POUR BOIS; PRODUITS SOLIDES OU PÂTEUX POUR COLORIAGE OU IMPRESSION; EMPLOI DE MATÉRIAUX À CET EFFET
183Compositions de revêtement à base de composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant uniquement du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone; Compositions de revêtement à base de dérivés de tels polymères
04Polysiloxanes
H01L 21/316 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314Couches inorganiques
316composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
CPC
C09D 183/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
183Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
04Polysiloxanes
H01L 21/02126
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02123the material containing silicon
02126the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
H01L 21/02203
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02203the layer being porous
H01L 21/02216
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02205the layer being characterised by the precursor material for deposition
02208the precursor containing a compound comprising Si
02214the compound comprising silicon and oxygen
02216the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
H01L 21/02282
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02225characterised by the process for the formation of the insulating layer
0226formation by a deposition process
02282liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
Déposants
  • DEGUSSA AG [DE/DE]; Bennigsenplatz 1 40474 Düsseldorf, DE (AllExceptUS)
  • KÜHNLE, Adolf [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • JOST, Carsten [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • RAULEDER, Hartwig [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • RENTROP, Corne [NL/NL]; NL (UsOnly)
  • VAN DAM, Roelant [NL/NL]; NL (UsOnly)
  • TIMMER, Klaas [NL/NL]; NL (UsOnly)
  • FISCHER, Hartmut [DE/NL]; NL (UsOnly)
Inventeurs
  • KÜHNLE, Adolf; DE
  • JOST, Carsten; DE
  • RAULEDER, Hartwig; DE
  • RENTROP, Corne; NL
  • VAN DAM, Roelant; NL
  • TIMMER, Klaas; NL
  • FISCHER, Hartmut; NL
Données relatives à la priorité
103 30 022.803.07.2003DE
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) PROCESS FOR PRODUCING LOW-K DIELECTRIC FILMS
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE FILMS DIELECTRIQUES A FAIBLE CONSTANTE DIELECTRIQUE
Abrégé
(EN)
The invention relates to processes for producing low-k dielectric films on semiconductors or electrical circuits, which comprises using incompletely condensed polyhedral oligomeric silsesquioxanes of the formula [ (RaXbSiO1.5)m(RcYdSiO)n ] with: a, b = 0-1; c, d = 1; m+n ≥ 3; a+b = 1; n, m ≥ 1, R = hydrogen atom or alkyl, cycloalkyl, alkenyl, cycloalkenyl, alkynyl, cycloalkynyl, aryl or heteroaryl group, in each case substituted or unsubstituted, X = an oxy, hydroxyl, alkoxy, carboxyl, silyl, silyloxy, halogen, epoxy, ester, fluoroalkyl, isocyanate, acrylate, methacrylate, nitrile, amino or phosphine group or substituents of type R containing at least one such group of type X, Y = hydroxyl, alkoxy or a substituent of type O-SiZ1Z2Z3, where Z1, Z2 and Z3 are fluoroalkyl, alkoxy, silyloxy, epoxy, ester, acrylate, methacrylate or a nitrile group or substituents of type R and are identical or different, not only the substituents of type R being identical or different but also the substituents of type X and Y in each case being identical or different, and comprising at least one hydroxyl group as substituent of type Y, for producing the film, and to low-k dielectric films produced by this process.
(FR)
La présente invention a trait à des procédés pour la production de films diélectriques à faible constante diélectrique sur des semi-conducteurs ou des circuits électriques, comprenant l'utilisation de silsesquioxannes oligomériques polyèdres non entièrement condensés de formule [ (RaXbSiO1.5)m(RcYdSiO)n ], dans laquelle a, b = 0 -1 ; c, d = 1 ; m+n $m(G) 3 ; a+b = 1 ; n, m $m(G) 1 ; R = atome d'hydrogène ou groupe alkyle, cycloalkyle, alcényle, cycloalcényle, alcynyle, cycloalcynyle, aryle ou hétéroaryle, dans chaque cas substitué ou non substitué ; X = un groupe oxy, hydroxyle, alcoxy, carboxyle, silyle, silyloxy, halogène, époxy, ester, fluoroalkyle, isocyanate, acrylate, méthacrylate, nitrile, amino ou phosphine ou des substituants de type R contenant au moins un tel groupe de type X ; Y = hydroxyle ou alcoxy ou un substituant de type O-SiZ1Z2Z3, où Z1, Z2 et Z3 sont fluoroalkyle, alcoxy, silyloxy, époxy, ester, acrylate, méthacrylate ou un groupe nitrile ou des substituants de type R et sont identiques ou différents, non seulement les substituants de type R étant identiques ou différents mais également les substituants de type X et Y dans chaque cas étant identiques ou différents, et comportant au moins un groupe hydroxyle en tant que substituant de type Y, pour la production du film, ainsi qu'à des films diélectriques à faible constante diélectrique produits par ce procédé.
Également publié en tant que
US2007166456
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international