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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2005004218 - APPAREIL DE POLISSAGE ET PROCEDE DE POLISSAGE

Numéro de publication WO/2005/004218
Date de publication 13.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/009681
Date du dépôt international 01.07.2004
CIB
B24B 37/04 2012.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
37Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires
04conçus pour travailler les surfaces planes
B24B 49/03 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
49Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meuler; Agencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p.ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage
02comparant la cote instantanée de la pièce travaillée à la cote cherchée, la mesure ou le calibrage étant continus ou intermittents
03fonctionnant selon la cote finale de la pièce précédemment rectifiée
H01L 21/321 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
321Post-traitement
CPC
B24B 37/042
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
04designed for working plane surfaces
042operating processes therefor
B24B 49/03
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
49Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
02according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent
03according to the final size of the previously ground workpiece
H01L 21/3212
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
321After treatment
32115Planarisation
3212by chemical mechanical polishing [CMP]
Déposants
  • EBARA CORPORATION [JP/JP]; 11-1, Haneda Asahi-cho Ohta-ku, Tokyo 1448510, JP (AllExceptUS)
  • SASAKI, Tatsuya [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • YAMADA, Naoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • KATSUMATA, Yoshifumi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • SHIMIZU, Noburu [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • TSUNO, Seiryo [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • MITSUYA, Takashi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • SASAKI, Tatsuya; JP
  • YAMADA, Naoshi; JP
  • KATSUMATA, Yoshifumi; JP
  • SHIMIZU, Noburu; JP
  • TSUNO, Seiryo; JP
  • MITSUYA, Takashi; JP
Mandataires
  • WATANABE, Isamu ; Gowa Nishi-shinjuku 4f 5-8, Nishi-shinjuku 7-chome Shinjuku-ku, Tokyo 1600023, JP
Données relatives à la priorité
2003-19030002.07.2003JP
2004-16620203.06.2004JP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) POLISHING APPARATUS AND POLISHING METHOD
(FR) APPAREIL DE POLISSAGE ET PROCEDE DE POLISSAGE
Abrégé
(EN)
A polishing apparatus has a polishing section (302) configured to polish a substrate and a measurement section (307) configured to measure a thickness of a film formed on the substrate. The polishing apparatus also has an interface (310) configured to input a desired thickness of a film formed on a substrate to be polished and a storage device (308a) configured to store polishing rate data on at least one past substrate therein. The polishing apparatus includes an arithmetic unit (308b) operable to calculate a polishing rate and an optimal polishing time based on the polishing rate data and the desired thickness by using a weighted average method which weights the polishing rate data on a lately polished substrate.
(FR)
Un appareil de polissage comprend une partie de polissage (302) configurée pour polir un substrat ainsi qu'une partie de mesure (307) configurée pour mesurer une épaisseur d'une couche mince formée sur le substrat. L'appareil de polissage comprend également une interface (310) configurée pour entrer une épaisseur voulue d'une couche mince formée sur un substrat à polir et un dispositif de stockage (308a) configuré pour stocker des données de vitesse de polissage sur au moins un substrat passé dans ledit appareil. L'appareil de polissage comprend une unité arithmétique (308b) pouvant calculer une vitesse de polissage et un temps de polissage optimaux sur la base des données de vitesse de polissage et de l'épaisseur voulue par l'utilisation d'un procédé de moyenne pondérée qui pondère les données de vitesse de polissage sur un substrat récemment poli.
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