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Paramétrages

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1. WO2005004215 - SYSTEME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT

Numéro de publication WO/2005/004215
Date de publication 13.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/009577
Date du dépôt international 30.06.2004
CIB
C30B 25/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
25Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p.ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur
02Croissance d'une couche épitaxiale
H01L 21/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
CPC
C23C 16/4412
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
4412Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
C23C 16/45593
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
455characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
45593Recirculation of reactive gases
C30B 25/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
H01L 21/67017
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
Déposants
  • EBARA CORPORATION [JP/JP]; 11-1, Haneda Asahi-cho Ohta-ku, Tokyo 1448510, JP (AllExceptUS)
  • HORIUCHI, Takao [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • OGAMINO, Hiroaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • NIIMURA, Yasuhiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • HATTORI, Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • HORIUCHI, Takao; JP
  • OGAMINO, Hiroaki; JP
  • NIIMURA, Yasuhiro; JP
  • HATTORI, Hiroshi; JP
Mandataires
  • MIYAGAWA, Teiji ; 6th Floor, Fuji Bldg. 19, Aizumi-cho, Shinjuku-ku Tokyo 1600005, JP
Données relatives à la priorité
2003-19175604.07.2003JP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM
(FR) SYSTEME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
Abrégé
(EN)
A substrate processing system is provided, which efficiently utilizes reactive substances or carrier gases necessary for the surface processing of a substrate, simplifies equipment for the gas transfer and effects energy saving. This system comprises a gas supply source 12 for supplying a process gas containing a reactive substance, a reservoir tank 14 connected to the gas supply source 12 for reserving the process gas, a reactor 10 for exposing a substrate placed therein to the process gas, a first circulation pipe 38 for introducing the process gas inside the reactor 10 into the reservoir tank 14, a second circulation pipe 42 for introducing at least part of the process gas in the reservoir tank 14 into the reactor 10, and a flow regulating valve 44 disposed in the second circulation pipe 42 for regulating the amount of process gas to be introduced into the reactor 10.
(FR)
La présente invention a trait à un système de traitement de substrat, qui utilise de manière efficace des substances réactives ou des gaz vecteurs nécessaires au traitement de la surface d'un substrat, et permet l'utilisation d'un équipement simple pour le transfert de gaz et une économie d'énergie. Ledit système comporte une source d'alimentation en gaz (12) pour l'alimentation d'un gaz de traitement contenant une substance réactive, un réservoir (14) relié à la source d'alimentation en gaz (12) pour contenir une réserve de gaz de traitement, un réacteur (10) pour l'exposition d'un substrat disposé en son sein au gaz de traitement, un premier conduit de circulation (38) pour faire pénétrer le gaz de traitement à l'intérieur du réacteur (10) dans le réservoir (14), un deuxième conduit de circulation (42) pour faire pénétrer au moins une partie du gaz de traitement à l'intérieur du réservoir (14) dans le réacteur (10), et une soupape de régulation de débit (44) disposée dans le deuxième conduit de circulation (42) pour le contrôle de la quantité de gaz de traitement à faire pénétrer dans le réacteur (10).
Également publié en tant que
US2007026150
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