Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2005004213 - PROCEDE DE CROISSANCE D'UN FILM DE NITRURE FIN SUR UN SUBSTRAT ET DISPOSITIF A FILM DE NITRURE FIN

Numéro de publication WO/2005/004213
Date de publication 13.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/008351
Date du dépôt international 15.06.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 10.11.2004
CIB
C30B 25/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
25Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p.ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur
02Croissance d'une couche épitaxiale
C30B 25/18 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
25Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p.ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur
02Croissance d'une couche épitaxiale
18caractérisée par le substrat
C30B 29/40 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
40Composés AIII BV
CPC
C30B 25/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
C30B 25/18
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
18characterised by the substrate
C30B 29/40
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
Déposants
  • 独立行政法人科学技術振興機構 JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 〒3320012 埼玉県川口市本町四丁目1番8号 Saitama 1-8, Hon-cho 4-chome Kawaguchi-shi, Saitama 3320012, JP (AllExceptUS)
  • 角谷 正友 SUMIYA, Masatomo [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 福家 俊郎 FUKE, Shunro [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 角谷 正友 SUMIYA, Masatomo; JP
  • 福家 俊郎 FUKE, Shunro; JP
Mandataires
  • 清水 守 SHIMIZU, Mamoru; 〒1010053 東京都千代田区神田美土代町7番地10大園ビル Tokyo Ohzono Bldg. 7-10, Kanda-mitoshiro-cho Chiyoda-ku, Tokyo 1010053, JP
Données relatives à la priorité
2003-18945701.07.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR GROWING THIN NITRIDE FILM ONTO SUBSTRATE AND THIN NITRIDE FILM DEVICE
(FR) PROCEDE DE CROISSANCE D'UN FILM DE NITRURE FIN SUR UN SUBSTRAT ET DISPOSITIF A FILM DE NITRURE FIN
(JA) 基板上への窒化物薄膜の成長方法及び窒化物薄膜装置
Abrégé
(EN)
A method for growing a thin nitride film onto a substrate, wherein a Ga face (2) for growing in +c face on a c face sapphire (Al2O3) substrate (1) and a N face (3) for growing in -c face on the c face sapphire (Al2O3) substrate are formed; and a thin nitride film device prepared by using the method. The method allows the direction of the polarity of a thin nitride film to be controlled in a low temperature process.
(FR)
L'invention concerne un procédé de croissance d'un film de nitrure fin sur un substrat, la surface Ga (2) de croissance dans une surface +c sur un substrat (1) de saphir à surface c (Al2O3) et une surface N (3) de croissance dans une surface -c sur le substrat de saphir à surface c (Al2O3). L'invention concerne également un dispositif de film de nitrure fin préparé au moyen du procédé susmentionné. Le procédé de l'invention permet de commander le sens de polarité d'un film de nitrure fin dans un procédé à basse température.
(JA)
 低温プロセスで窒化物薄膜の極性方向を制御することができる基板上への窒化物薄膜の成長方法及び窒化物薄膜装置を提供する。 基板上への窒化物薄膜の成長方法において、c面サファイア(Al)基板(1)上に+c面で成長するGa面(2)と、c面サファイア(Al)基板上に−c面で成長するN面(3)とを形成する。
Également publié en tant que
US2007042560
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international