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1. WO2005003414 - SUBSTRAT POUR LA FORMATION D'UN FILM MINCE, SUBSTRAT AVEC FILM MINCE ET ELEMENT PHOTOEMETTEUR

Numéro de publication WO/2005/003414
Date de publication 13.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/000051
Date du dépôt international 07.01.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 02.05.2005
CIB
C04B 35/581 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
04CIMENTS; BÉTON; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES
BCHAUX; MAGNÉSIE; SCORIES; CIMENTS; LEURS COMPOSITIONS, p.ex. MORTIERS, BÉTON OU MATÉRIAUX DE CONSTRUCTION SIMILAIRES; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES; TRAITEMENT DE LA PIERRE NATURELLE
35Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
515à base de non oxydes
58à base de borures, nitrures ou siliciures
581à base de nitrure d'aluminium
C30B 25/18 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
25Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p.ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur
02Croissance d'une couche épitaxiale
18caractérisée par le substrat
C30B 29/40 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
40Composés AIII BV
CPC
C04B 2235/32
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
C04B 2235/3201
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
3201Alkali metal oxides or oxide-forming salts thereof
C04B 2235/3203
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
3201Alkali metal oxides or oxide-forming salts thereof
3203Lithium oxide or oxide-forming salts thereof
C04B 2235/3205
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
3205Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
C04B 2235/3206
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
3205Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
3206Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
C04B 2235/3208
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
3205Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
3208Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
Déposants
  • 宮原 健一郎 MIYAHARA, Kenichiro [JP/JP]; JP
Inventeurs
  • 宮原 健一郎 MIYAHARA, Kenichiro; JP
Données relatives à la priorité
2003-18617530.06.2003JP
2003-29425918.08.2003JP
2003-39623626.11.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE FOR THIN-FILM FORMATION, THIN-FILM SUBSTRATE AND LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) SUBSTRAT POUR LA FORMATION D'UN FILM MINCE, SUBSTRAT AVEC FILM MINCE ET ELEMENT PHOTOEMETTEUR
(JA) 薄膜形成用基板、薄膜基板、及び発光素子
Abrégé
(EN)
A substrate for forming a single-crystal thin film composed mainly of gallium nitride, indium nitride or aluminum nitride, the substrate consisting of a sintered compact composed mainly of a ceramic material; and a thin-film substrate furnished with the single-crystal thin film. The use of the sintered compact composed mainly of a ceramic material, especially translucent sintered compact, as the substrate enables formation thereon of a highly crystalline single-crystal thin film composed mainly of at least one member selected from among gallium nitride, indium nitride and aluminum nitride. Thus, there is provided a thin-film substrate furnished with a highly crystalline single-crystal thin film. Further, the use of the sintered compact composed mainly of a ceramic material enables providing of a light emitting element excelling in luminous efficiency.
(FR)
Cette invention se rapporte à un substrat servant à former un film mince composé essentiellement de nitrure de gallium, de nitrure d'indium ou de nitrure d'aluminium, ce substrat étant constitué essentiellement par un compact fritté composé essentiellement d'un matériau céramique ; ainsi qu'à un substrat comportant ce film mince. L'utilisation comme substrat de ce compact fritté composé essentiellement d'un matériau céramique, notamment d'un compact fritté translucide, permet de former sur ce substrat un film mince monocristallin hautement cristallin composé essentiellement d'au moins un élément choisi parmi du nitrure de gallium, du nitrure d'indium et du nitrure d'aluminium. On obtient ainsi un substrat à film mince comportant un film mince monocristallin hautement cristallin. En outre, l'utilisation de ce compact fritté composé essentiellement d'un matériau céramique permet de produire un élément photoémetteur ayant un excellent rendement lumineux.
(JA)
not available
Également publié en tant que
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