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Paramétrages

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1. WO2005003413 - CREUSET ET PROCEDE DE CROISSANCE D'UN MONOCRISTAL A L'AIDE DE CE CREUSET

Numéro de publication WO/2005/003413
Date de publication 13.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/008624
Date du dépôt international 18.06.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 14.10.2004
CIB
C30B 11/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
11Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger
C30B 29/12 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
12Halogénures
CPC
C30B 11/002
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
002Crucibles or containers for supporting the melt
C30B 29/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
12Halides
Y10T 117/10
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
117Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
10Apparatus
Y10T 117/1016
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
117Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
10Apparatus
1016with means for treating single-crystal [e.g., heat treating]
Y10T 117/1028
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
117Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
10Apparatus
1024for crystallization from liquid or supercritical state
1028Crucibleless apparatus having means providing movement of discrete droplets or solid particles to thin-film precursor [e.g., Verneuil method]
Y10T 117/1052
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
117Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
10Apparatus
1024for crystallization from liquid or supercritical state
1032Seed pulling
1052including a sectioned crucible [e.g., double crucible, baffle]
Déposants
  • 日立化成工業株式会社 HITACHI CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 〒1630449 東京都新宿区西新宿2丁目1番1号 Tokyo 1-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630449, JP (AllExceptUS)
  • 住谷 圭二 SUMIYA, Keiji [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • セングットバン ナチムス SENGUTTUVAN, Nachimuthu [IN/JP]; JP (UsOnly)
  • 石橋 浩之 ISHIBASHI, Hiroyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 住谷 圭二 SUMIYA, Keiji; JP
  • セングットバン ナチムス SENGUTTUVAN, Nachimuthu; JP
  • 石橋 浩之 ISHIBASHI, Hiroyuki; JP
Mandataires
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA, Yoshiki; 〒1040061 東京都中央区銀座一丁目10番6号銀座ファーストビル 創英国際特許法律事務所 Tokyo SOEI PATENT AND LAW FIRM, Ginza First Bldg., 10-6, Ginza 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040061, JP
Données relatives à la priorité
2003-27077103.07.2003JP
2003-27077303.07.2003JP
2003-27077403.07.2003JP
2003-27077803.07.2003JP
2003-28404731.07.2003JP
2003-33601526.09.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) CRUCIBLE AND METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTAL BY USING CRUCIBLE
(FR) CREUSET ET PROCEDE DE CROISSANCE D'UN MONOCRISTAL A L'AIDE DE CE CREUSET
(JA) ルツボ及びルツボを用いた単結晶の育成方法
Abrégé
(EN)
A crucible capable of easily growing a single crystal of an optical part material by preventing polycrystallization from occurring and a method of growing the single crystal using the crucible. The inner surfaces of a crucible body (1A), i.e., the wall surface (1H), recessed curved surface (1J), cone surface (1F), and projected curved surface (1L) of a material storage part (1D) and the wall surface (1K) of a seed storage part (1E) are formed in smooth surfaces with surface roughnesses of approximately 3.2s in Rmax.
(FR)
L'invention concerne un creuset permettant la croissance facile d'un monocristal d'un matériau de pièce optique par la prévention de toute polycrystallisation et un procédé de croissance d'un monocristal à l'aide du creuset. Les surfaces internes d'un corps creuset (1A), notamment la surface de paroi (1H), surface concave (1J), surface conique (1F) et surface convexe (1L) d'une pièce de stockage de matériau (1D) et la surface paroi (1K) de la pièce de stockage de germe (1E) sont des surfaces lisses avec une rugosité surfacique d'environ 3.2s en Rmax.
(JA)
 多結晶化を防止して光学部品材料の単結晶を容易に育成することができるルツボ及びこれを用いた単結晶育成方法を提供する。  ルツボ本体1Aのルツボ内面である原料収容部1Dの壁面1H、凹曲面1J、コーン面1F、凸曲面1L、シード収容部1Eの壁面1Kの表面粗さがRmax3.2s程度の平滑面となっているルツボ。
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