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Paramétrages

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1. WO2005003196 - RESINE POUR RESERVE POSITIVE, RESERVE POSITIVE L'UTILISANT ET LAMINE ET PROCEDE DE FORMATION DE MOTIFS DE RESERVE

Numéro de publication WO/2005/003196
Date de publication 13.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/009875
Date du dépôt international 05.07.2004
CIB
G03F 7/039 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004Matériaux photosensibles
039Composés macromoléculaires photodégradables, p.ex. réserves positives sensibles aux électrons
CPC
C08F 212/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
212Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
02Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
04containing one ring
14substituted by heteroatoms or groups containing heteroatoms
C08K 5/0008
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
5Use of organic ingredients
0008Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
C08K 5/36
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
5Use of organic ingredients
36Sulfur-, selenium-, or tellurium-containing compounds
C08L 2203/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
2203Applications
C08L 2205/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
2205Polymer mixtures characterised by other features
G03F 7/0392
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
0392the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
Déposants
  • 東京応化工業株式会社 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 〒211-0012 神奈川県 川崎市 中原区中丸子150番地 Kanagawa 150, Nakamaruko, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 211-0012, JP (AllExceptUS)
  • 新堀 博 SHINBORI, Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 新堀 博 SHINBORI, Hiroshi; JP
Mandataires
  • 棚井 澄雄 TANAI, Sumio; 〒104-8453 東京都 中央区 八重洲2丁目3番1号 Tokyo 2-3-1, Yaesu Chuo-ku, Tokyo 104-8453, JP
Données relatives à la priorité
2003-19364908.07.2003JP
2003-19365008.07.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) RESIN FOR POSITIVE RESIST COMPOSITION, AND POSITIVE RESIST COMPOSITION USING THE SAME, LAMINATE AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN
(FR) RESINE POUR RESERVE POSITIVE, RESERVE POSITIVE L'UTILISANT ET LAMINE ET PROCEDE DE FORMATION DE MOTIFS DE RESERVE
(JA) ポジ型レジスト組成物用樹脂、およびこれを用いたポジ型レジスト組成物、積層体並びにレジストパターンの形成方法
Abrégé
(EN)
The use of a positive resist resin comprising a resin having a specific structure has been found to improve the resolution and provide a resist pattern having a good shape and further to make a resist layer less prone to tailing or forming a recess when the resist layer is formed on a magnetic film or on an oxidation-resistant layer made of a metal formed on the magnetic layer.
(FR)
L'invention porte sur l'utilisation d'une résine de structure spécifique pour réserve positive, améliorant la résolution et permettant de dessiner des motifs de réserve de forme adéquate, et d'obtenir une couche de réserve moins sujette à créer des traînées ou des vides lorsque déposée sur un film magnétique ou sur une couche résistant à l'oxydation constituée d'un métal formé sur une couche magnétique.
(JA)
not available
Également publié en tant que
US2007099107
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international