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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2005003193 - COMPOSITION DE RESIST POSITIVE ET PROCEDE DE FORMATION DE MOTIF DE RESIST AVEC CETTE COMPOSITION

Numéro de publication WO/2005/003193
Date de publication 13.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/009620
Date du dépôt international 30.06.2004
CIB
C08F 20/18 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
FCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
20Homopolymères ou copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et un seul étant terminé par un seul radical carboxyle ou un sel, anhydride, ester, amide, imide ou nitrile
02Acides monocarboxyliques contenant moins de dix atomes de carbone; Leurs dérivés
10Esters
12des alcools ou des phénols monohydriques
16des phénols ou des alcools contenant plusieurs atomes de carbone
18avec l'acide acrylique ou l'acide méthacrylique
C08F 220/18 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
FCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
220Copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et un seul étant terminé par un seul radical carboxyle ou un sel, anhydride, ester, amide, imide ou nitrile
02Acides monocarboxyliques contenant moins de dix atomes de carbone; Leurs dérivés
10Esters
12des alcools ou des phénols monohydriques
16des phénols ou des alcools contenant plusieurs atomes de carbone
18avec l'acide acrylique ou l'acide méthacrylique
C08F 220/28 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
FCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
220Copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et un seul étant terminé par un seul radical carboxyle ou un sel, anhydride, ester, amide, imide ou nitrile
02Acides monocarboxyliques contenant moins de dix atomes de carbone; Leurs dérivés
10Esters
26Esters contenant de l'oxygène en plus de l'oxygène de la fonction carboxyle
28ne contenant pas de cycles aromatiques dans la partie alcool
G03F 7/004 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004Matériaux photosensibles
G03F 7/039 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004Matériaux photosensibles
039Composés macromoléculaires photodégradables, p.ex. réserves positives sensibles aux électrons
H01L 21/027 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
CPC
C08F 220/28
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
220Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
10Esters
26Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
28containing no aromatic rings in the alcohol moiety
G03F 7/0397
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
0392the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
0397the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
Déposants
  • 東京応化工業株式会社 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 〒211-0012 神奈川県 川崎市 中原区中丸子150番地 Kanagawa 150, Nakamaruko, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 211-0012, JP (AllExceptUS)
  • 羽田 英夫 HADA, Hideo [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 宮入 美和 MIYAIRI, Miwa [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 岩井 武 IWAI, Takeshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 羽田 英夫 HADA, Hideo; JP
  • 宮入 美和 MIYAIRI, Miwa; JP
  • 岩井 武 IWAI, Takeshi; JP
Mandataires
  • 棚井 澄雄 TANAI, Sumio; 〒104-8453 東京都 中央区 八重洲2丁目3番1号 Tokyo 2-3-1, Yaesu Chuo-ku, Tokyo 104-8453, JP
Données relatives à la priorité
2003-19289507.07.2003JP
2004-10020430.03.2004JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) POSITIVE RESIST COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN USING SAME
(FR) COMPOSITION DE RESIST POSITIVE ET PROCEDE DE FORMATION DE MOTIF DE RESIST AVEC CETTE COMPOSITION
(JA) ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
Abrégé
(EN)
A resist composition is disclosed which enables to prevent surface roughening of a resist pattern after either etching or developing, or preferably after both etching and developing. A resist pattern is formed by using a positive resist composition comprising a resin component (A), an acid-forming agent component (B) which produces an acid when exposed, and an organic solvent (C). The resin component (A) contains at least one constitutional unit (a1) containing lactone which is represented by one of the following general formulae (1)-(4): (wherein R represents a hydrogen atom or a methyl group, and m is 0 or 1), and the alkali solubility thereof is increased by the action of an acid.
(FR)
L'invention concerne une composition de résist qui empêche le phénomène de rugosité sur motif de résist après attaque ou développement, ou de préférence après les deux à la fois. On forme un motif de résist au moyen d'une composition de résist positive qui comprend un élément de résine (A), un agent formateur d'acide (B) produisant un acide sous exposition, et un solvant organique (C). L'élément (A) contient au moins une unité constitutionnelle (a1) qui renferme un lactone, selon l'une des formules (1)-(4), dans lesquelles R est un atome d'hydrogène ou un groupe méthyle, et dans lesquelles m vaut 0 ou 1, sachant que la solubilité alcaline correspondante est améliorée par l'action d'un acide.
(JA)
not available
Également publié en tant que
US2006194141
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international