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Paramétrages

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1. WO2005003030 - PROCEDE DE PRODUCTION DE TRICHLOROSILANE ET SILICIUM DESTINE A ETRE UTILISE DANS LA PRODUCTION DE TRICHLOROSILANE

Numéro de publication WO/2005/003030
Date de publication 13.01.2005
N° de la demande internationale PCT/NO2004/000186
Date du dépôt international 24.06.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 07.01.2005
CIB
C01B 33/107 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
33Silicium; Ses composés
08Composés halogénés
107Silanes halogénés
CPC
C01B 33/10763
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
33Silicon; Compounds thereof
08Compounds containing halogen
107Halogenated silanes
1071Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
10742prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material
10757with the preferential formation of trichlorosilane
10763from silicon
Déposants
  • ELKEM ASA [NO/NO]; Hoffsveien 65B N-0377 Oslo, NO (AllExceptUS)
  • HOEL, Jan-Otto [NO/NO]; NO (UsOnly)
  • RONG, Harry, Morten [NO/NO]; NO (UsOnly)
  • RØE, Torbjørn [NO/NO]; NO (UsOnly)
  • ØYE, Harald, Arnljot [NO/NO]; NO (UsOnly)
Inventeurs
  • HOEL, Jan-Otto; NO
  • RONG, Harry, Morten; NO
  • RØE, Torbjørn; NO
  • ØYE, Harald, Arnljot; NO
Mandataires
  • VINDENES, Magne; Elkem ASA, Patent Department P.O. Box 8040 Vågsbygd N-4675 Kristiansand, NO
Données relatives à la priorité
2003309307.07.2003NO
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR PRODUCTION OF TRICHLOROSILANE AND SILICON FOR USE IN THE PRODUCTION OF TRICHLOROSILANE
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE TRICHLOROSILANE ET SILICIUM DESTINE A ETRE UTILISE DANS LA PRODUCTION DE TRICHLOROSILANE
Abrégé
(EN)
The present invention relates to a method for the production of trichlorosilane by reaction of silicon with HCI gas at a temperature between 250° and 1100°C, and an absolute pressure of 0.5 - 30 atm in a fluidized bed reactor, in a stirred bed reactor or a solid bed reactor, where the silicon supplied to the reactor contains between 30 and 10.000 ppm chromium. The invention further relates to silicon for use in the production of trichlorosilane by reaction of silicon with HCI gas, containing between 30 and 10.000 ppm 10 chromium, the remaining except for normal impurities being silicon.
(FR)
La présente invention a trait à un procédé pour la production de trichlorosilane par la réaction du silicium avec un gaz HCl à une température entre 250° et 1100 °C, et un pression absolue de 0,5 30 atm dans un réacteur à lit fluidisé, dans un réacteur à lit agité ou dans un réacteur à lit fixe, où le silicium alimenté au réacteur contient entre 30 et 10000 ppm de chrome. L'invention a également trait au silicium destiné à être utilisé dans la production de trichlorosilane par la réaction du silicium avec un gaz HCl, contenant entre 30 et 10000 ppm de chrome, le reste à l'exception d'impuretés inévitables étant du silicium.
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