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Paramétrages

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1. WO2005003026 - ACIDE PHOSPHORIQUE A HAUTE PURETE ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CET ACIDE

Numéro de publication WO/2005/003026
Date de publication 13.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/009112
Date du dépôt international 28.06.2004
CIB
C01B 25/18 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
25Phosphore; Ses composés
16Oxyacides de phosphore; Leurs sels
18Acide phosphorique
CPC
C01B 25/18
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
25Phosphorus; Compounds thereof
16Oxyacids of phosphorus; Salts thereof
18Phosphoric acid
C01B 25/234
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
25Phosphorus; Compounds thereof
16Oxyacids of phosphorus; Salts thereof
18Phosphoric acid
234Purification; Stabilisation; Concentration
Déposants
  • 日本化学工業株式会社 Nippon Chemical Industrial Co.,Ltd. [JP/JP]; 〒1368515 東京都江東区亀戸9丁目11番1号 Tokyo 11-1, Kameido 9-chome, Koto-ku, Tokyo 1368515, JP (AllExceptUS)
  • 石川 賢一 ISHIKAWA, Kenichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 横井 敬三 YOKOI, Keizou [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 竹内 宏介 TAKEUCHI, Kosuke [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • KURITA, Yutaka [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 内山 平二 UCHIYAMA, Heiji [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 石川 賢一 ISHIKAWA, Kenichi; JP
  • 横井 敬三 YOKOI, Keizou; JP
  • 竹内 宏介 TAKEUCHI, Kosuke; JP
  • KURITA, Yutaka; JP
  • 内山 平二 UCHIYAMA, Heiji; JP
Mandataires
  • 羽鳥 修 HATORI, Osamu; 〒1070052 東京都港区赤坂一丁目8番6号赤坂HKNビル6階 Tokyo AKASAKA HKN BLDG. 6F, 8-6, Akasaka 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052, JP
Données relatives à la priorité
2003-18963101.07.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) HIGH PURITY PHOSPHORIC ACID AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) ACIDE PHOSPHORIQUE A HAUTE PURETE ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CET ACIDE
(JA) 高純度リン酸及びその製造方法
Abrégé
(EN)
A high purity phosphoric acid, characterized in that it has an impurity content wherein the content of Sb is 200 ppb or less and the content of a sulfide ion is 200 ppb or less, in terms of a product having a H3PO4 concentration of 85 wt %. The above high purity phosphoric acid is useful as an etching fluid for a semiconductor element having a silicon nitride film, an etching fluid for a liquid crystalline display panel having an alumina film, an etching fluid for metallic aluminum, an etching fluid for alumina for a ceraminc, a material of a phosphate glass for an optical fiber glass, a food additive and the like.
(FR)
L'invention concerne un acide phosphorique à haute pureté, caractérisé en ce qu'il présente une teneur en impuretés telle que la teneur en Sb est inférieure ou égale à 200 ppb et la teneur en ion sulfure est inférieure ou égale à 200 ppb, pour un produit possédant une concentration en H3PO4 égale à 85 % en poids. Cet acide phosphorique à haute pureté peut être utilisé comme fluide de gravure pour un élément semi-conducteur comprenant un film de nitrure de silicium, pour un panneau d'affichage à cristaux liquides comprenant un film d'alumine, pour de l'aluminium métallique ou pour de l'alumine pour une céramique, comme matière d'un verre au phosphate pour une fibre optique de verre, comme additif alimentaire ou similaire.
(JA)
 本発明の高純度リン酸は、H3PO4の濃度を85重量%に換算したときの不純物含量として、Sbが200ppb以下であり且つ硫化物イオンが200ppb以下であることを特徴とする。本発明の高純度リン酸は、窒化珪素膜を有する半導体素子のエッチング液、アルミナ膜を有する液晶ディスプレイパネルのエッチング液、金属アルミニウムエッチング液、セラミックス用アルミナエッチング液、光ファイバーガラス用リン酸ガラス原料、食品添加物等として有用である。
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