Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2005002052 - MISE EN MEMOIRE TAMPON BIDIRECTIONNELLE DE LIGNES DE DONNEES DE MEMOIRE

Numéro de publication WO/2005/002052
Date de publication 06.01.2005
N° de la demande internationale PCT/US2004/016103
Date du dépôt international 20.05.2004
CIB
G11C 7/12 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
7Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
12Circuits de commande de lignes de bits, p.ex. circuits d'attaque, de puissance, de tirage vers le haut, d'abaissement, circuits de précharge, circuits d'égalisation, pour lignes de bits
G11C 11/419 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21utilisant des éléments électriques
34utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40utilisant des transistors
41formant des cellules avec réaction positive, c. à d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p.ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt
413Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture, la synchronisation ou la réduction de la consommation
417pour des cellules de mémoire du type à effet de champ
419Circuits de lecture-écriture
CPC
G11C 11/419
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21using electric elements
34using semiconductor devices
40using transistors
41forming ; static; cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
413Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing, power reduction
417for memory cells of the field-effect type
419Read-write [R-W] circuits
G11C 7/12
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
7Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
12Bit line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, equalising circuits, for bit lines
Déposants
  • LATTICE SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 5555 NE Moore Ct Hillsboro, OR 97124, US (AllExceptUS)
Inventeurs
  • FENSTERMAKER, Larry; US
  • CARTNEY, Gregory; US
  • CHEN, Zheng; US
Mandataires
  • BECKER, Mark; Lattice Semiconductor Corporation 5555 NE Moore Ct. Hillsboro, OR 97124, US
Données relatives à la priorité
10/464,08318.06.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) BI-DIRECTIONAL BUFFERING FOR MEMORY DATA LINES
(FR) MISE EN MEMOIRE TAMPON BIDIRECTIONNELLE DE LIGNES DE DONNEES DE MEMOIRE
Abrégé
(EN)
Systems and methods are disclosed for implementing configuration memory (200) on a programmable logic device. For example, in accordance with one embodiment of the present invention, bi-directional buffers (2004) are implemented between sections (2002) of a column of memory. The buffers (204) may provide buffering for data lines (210) extending through the column of memory.
(FR)
L'invention concerne des systèmes et des procédés de mise en oeuvre d'une mémoire de configuration sur un dispositif logique programmable. Dans un mode de réalisation de l'invention, des tampons bidirectionnels sont, par exemple, mis en oeuvre entre les sections d'une colonne de mémoire. Ces tampons permettent de mettre en mémoire tampon les lignes de données s'étendant dans la colonne de mémoire.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international