Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2005002042 - CIRCUIT D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE INTEGRE

Numéro de publication WO/2005/002042
Date de publication 06.01.2005
N° de la demande internationale PCT/CA2004/000882
Date du dépôt international 17.06.2004
CIB
H03F 1/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
1Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
02Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p.ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H03F 3/21 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
3Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
20Amplificateurs de puissance, p.ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C
21comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H03F 3/347 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
3Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
34Amplificateurs de courant continu dans lesquels tous les étages sont couplés en courant continu
343comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
347dans des circuits intégrés
H03G 1/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
GRÉGLAGE DE L'AMPLIFICATION
1Détails des dispositions pour le réglage de l'amplification
H03G 3/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
GRÉGLAGE DE L'AMPLIFICATION
3Commande de gain dans les amplificateurs ou les changeurs de fréquence
H03G 3/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
GRÉGLAGE DE L'AMPLIFICATION
3Commande de gain dans les amplificateurs ou les changeurs de fréquence
20Commande automatique
CPC
H03F 1/0261
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
0205in transistor amplifiers
0261with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
H03F 2200/504
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2200Indexing scheme relating to amplifiers
504the supply voltage or current being continuously controlled by a controlling signal, e.g. the controlling signal of a transistor implemented as variable resistor in a supply path for, an IC-block showed amplifier
H03F 2200/99
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2200Indexing scheme relating to amplifiers
99A diode as rectifier being used as a detecting circuit in an amplifying circuit
H03F 3/211
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
21with semiconductor devices only
211using a combination of several amplifiers
H03F 3/347
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
34Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled
343with semiconductor devices only
347in integrated circuits
H03G 1/0017
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
GCONTROL OF AMPLIFICATION
1Details of arrangements for controlling amplification
0005Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
0017the device being at least one of the amplifying solid state elements of the amplifier
Déposants
  • SIGE SEMICONDUCTOR (U.S.), CORP. [US/US]; 1 Griffin Brooke Drive Suite 201 Methuen, MA 01844, US (AllExceptUS)
  • DOHERTY, Mark [US/US]; US (UsOnly)
  • GILLIS, John [US/US]; US (UsOnly)
  • MCPARTLIN, Michael [US/US]; US (UsOnly)
  • HELMS, David [US/US]; US (UsOnly)
  • ANTOGNETTI, Phillip [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • DOHERTY, Mark; US
  • GILLIS, John; US
  • MCPARTLIN, Michael; US
  • HELMS, David; US
  • ANTOGNETTI, Phillip; US
Mandataires
  • FREEDMAN, Gordon; Freedman & Associates 117 Centrepointe Drive Suite 350 Nepean, Ontario K2G 5X3, CA
Données relatives à la priorité
10/607,12527.06.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) INTEGRATED POWER AMPLIFIER CIRCUIT
(FR) CIRCUIT D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE INTEGRE
Abrégé
(EN)
In accordance with a first embodiment of the invention, a Dual Feedback-Low power regulation circuit for a three-stage power amplifier integrated circuit is provided. In accordance with a second embodiment of the invention, a current source feedback circuit having low RF output signal power regulation for a three-stage power amplifier integrated circuit is provided. In accordance with a third embodiment of the invention, a detector circuit in the form of an integrated logarithmic current detector circuit in conjunction with a three stage power amplifier integrated circuit. The three embodiments of the invention advantageously overcome the limitations of the prior art.
(FR)
Des architectures de l'état de la technique d'amplificateurs de puissance font appel à une zone de dé sensible, et font appel à plusieurs technologies de circuit intégré présentant un coût de fabrication nettement plus élevé et une zone d'emballage associée nettement plus grande que pour l'invention. L'invention concerne un nouveau programme dans lequel plusieurs signaux de détection et de contrôle sont utilisés pour obtenir un contrôle fin et grossier, sur les chiffres clés de mérite, associés à des amplificateurs de puissance à semi-conducteur intégré. La manière dont ces signaux de détection et de contrôle sont utilisés et le lieu où ils sont utilisés constituent deux élément cruciaux pour obtenir l'amplificateur intégré le plus économique et le plus facilement fabricable. Selon le premier mode de réalisation de l'invention, un circuit de régulation de faible puissance à double rétroaction est prévu pour un circuit intégré d'amplificateur de puissance à trois étages. Selon un second mode de réalisation de l'invention, un circuit de rétroaction à source de courant présentant une régulation de puissance de signal de sortie RF faible est prévu pour un circuit intégré d'amplificateur de puissance à trois étages. Selon un troisième mode de réalisation de l'invention, un circuit de détection, se présentant sous la forme d'un circuit de détecteur de courant logarithmique intégré, est prévu, conjointement à un circuit intégré d'amplificateur de puissance à trois étages. Les trois modes de réalisation de l'invention permettent de dépasser avantageusement les limitations de l'état de la technique.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international