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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2005001938 - CIRCUIT INTEGRE A SEMICONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2005/001938
Date de publication 06.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2003/008212
Date du dépôt international 27.06.2003
CIB
G05F 3/24 2006.01
GPHYSIQUE
05COMMANDE; RÉGULATION
FSYSTÈMES DE RÉGULATION DES VARIABLES ÉLECTRIQUES OU MAGNÉTIQUES
3Systèmes non rétroactifs pour la régulation des variables électriques par l'utilisation d'un élément non commandé, ou d'une combinaison d'éléments non commandés, un tel élément ou une telle combinaison étant propre à exercer par lui-même une régulation
02Régulation de la tension ou du courant
08là où la tension ou le courant sont continus
10utilisant des dispositifs non commandés à caractéristiques non linéaires
16consistant en des dispositifs à semi-conducteurs
20en utilisant des combinaisons diode-transistor
24dans lesquelles les transistors sont uniquement du type à effet de champ
H02M 3/07 2006.01
HÉLECTRICITÉ
02PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
MAPPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
3Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu
02sans transformation intermédiaire en courant alternatif
04par convertisseurs statiques
06utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension
07utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
CPC
G05F 3/242
GPHYSICS
05CONTROLLING; REGULATING
FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
3Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
02Regulating voltage or current
08wherein the variable is dc
10using uncontrolled devices with non-linear characteristics
16being semiconductor devices
20using diode- transistor combinations
24wherein the transistors are of the field-effect type only
242with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
G11C 5/145
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
5Details of stores covered by G11C11/00
14Power supply arrangements
145Applications of charge pumps
H02M 1/36
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
1Details of apparatus for conversion
36Means for starting or stopping converters
H02M 2001/0032
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
1Details of apparatus for conversion
0003Details of control, feedback and regulation circuits
0032Control circuits allowing low power mode operation, e.g. "standby"
H02M 3/073
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
3Conversion of dc power input into dc power output
02without intermediate conversion into ac
04by static converters
06using resistors or capacitors, e.g. potential divider
07using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode ; , e.g. charge pumps
073Charge pumps of the SCHENKEL type
H03K 5/2481
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
5Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
22Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral
24the characteristic being amplitude
2472using field effect transistors
2481with at least one differential stage
Déposants
  • FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 211-8588, JP (AllExceptUS)
  • TAKEUCHI, Atsushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • TAKEUCHI, Atsushi; JP
Mandataires
  • ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3, Ebisu 4-chome Shibuya-ku, Tokyo 150-6032, JP
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
(FR) CIRCUIT INTEGRE A SEMICONDUCTEURS
(JA) 半導体集積回路
Abrégé
(EN)
A reduction in current consumption by a step-up voltage generating circuit of a semiconductor integrated circuit during a standby time. The semiconductor integrated circuit comprises a pump circuit which generates a step-up voltage by stepping up an external source voltage and a detection circuit which detects the step-up voltage generated by the pump voltage to control drive/non-drive of the pump circuit. The detection circuit comprises a differential amplifier which compares the step-up voltage with a reference voltage, and a current control circuit which controls the amount of bias current flowing through the differential amplifier depending upon whether the pump circuit is driven or not driven.
(FR)
L'invention concerne un procédé permettant de réduire la consommation de courant par un circuit élévateur de tension d'un circuit intégré à semiconducteurs, lors d'une période d'attente. Le circuit intégré à semiconducteurs comprend: un circuit de pompage qui génère une tension d'élévation par élévation de la tension d'une source extérieure; et un circuit de détection qui détecte la tension d'élévation générée par la tension de pompage pour commander l'excitation/la non excitation du circuit de pompage. Le circuit de détection comprend un amplificateur différentiel qui compare la tension d'élévation à une tension de référence; et un circuit de régulation du courant qui régule l'intensité du courant de polarisation circulant au travers de l'amplificateur différentiel, selon que le circuit de pompage est excité ou non excité.
(JA)
本発明は、半導体集積回路において、スタンバイ時における昇圧電圧生成回路における電流消費を削減することを目的とする。本発明による半導体集積回路は、外部電源電圧を昇圧して昇圧電圧を生成するポンプ回路と、ポンプ回路が生成する昇圧電圧を検出してポンプ回路の駆動/非駆動を制御する検出回路を含み、検出回路は、昇圧電位と基準電位とを比較する差動増幅器と、差動増幅器に流れるバイアス電流の量をポンプ回路の駆動/非駆動に応じて制御する電流制御回路を含むことを特徴とする。
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