Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2005001937 - CELLULE DE MEMOIRE FLASH A UN TRANSISTOR

Numéro de publication WO/2005/001937
Date de publication 06.01.2005
N° de la demande internationale PCT/EP2004/051254
Date du dépôt international 25.06.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 15.04.2005
CIB
H01L 21/8247 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8239Structures de mémoires
8246Structures de mémoires mortes (ROM)
8247programmables électriquement (EPROM)
H01L 27/115 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
112Structures de mémoires mortes
115Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs
CPC
H01L 27/115
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures ; [ROM] and multistep manufacturing processes therefor
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
H01L 27/11521
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures ; [ROM] and multistep manufacturing processes therefor
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
11517with floating gate
11521characterised by the memory core region
H01L 27/11526
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures ; [ROM] and multistep manufacturing processes therefor
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
11517with floating gate
11526characterised by the peripheral circuit region
H01L 27/11546
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures ; [ROM] and multistep manufacturing processes therefor
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
11517with floating gate
11526characterised by the peripheral circuit region
11531Simultaneous manufacturing of periphery and memory cells
11546including different types of peripheral transistor
Déposants
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53 81669 München, DE (AllExceptUS)
  • KAKOSCHKE, Ronald [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • TEMPEL, Georg [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • SHUM, Danny [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • KAKOSCHKE, Ronald; DE
  • TEMPEL, Georg; DE
  • SHUM, Danny; US
Mandataires
  • KARL, Frank ; Postfach 1330 85627 Grasbrunn, DE
Données relatives à la priorité
10/607,61027.06.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ONE TRANSISTOR FLASH MEMORY CELL
(FR) CELLULE DE MEMOIRE FLASH A UN TRANSISTOR
Abrégé
(EN)
An integrated circuit has a high voltage area, a logie area and a memory array for forming a system on a chip that includes linear, logic and memory devices. The memory has floating gate transistors disposed in a triple well structure with a raised drain bit line 13 substantially vertically aligned with a buried source bit line 14. The memory array separates the columns with deep trenches 46 that may also be formed into charge pump capacitors.
(FR)
Selon l'invention, un circuit intégré comprend une zone haute tension, une zone logique et un réseau de mémoire pour former un système sur une puce comprenant des dispositifs linéaire, logique et de mémoire. Le réseau de mémoire comprend des transistors à grille flottante disposés dans une structure triple puits comprenant une ligne de bit drain en relief (13) alignée sensiblement verticalement avec une ligne de bit source enfouie (14). Le réseau de mémoire sépare les colonnes par des tranchées profondes (46) pouvant également former des condensateurs de pompes de charge.
Également publié en tant que
DE112004001244
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international