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1. WO2005001921 - TRANSISTOR EN COUCHES MINCES, SUBSTRAT DE TRANSISTOR EN COUCHES MINCES, APPAREIL ELECTRONIQUE ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UN FILM MINCE SEMI-CONDUCTEUR POLYCRISTALLIN

Numéro de publication WO/2005/001921
Date de publication 06.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/003385
Date du dépôt international 15.03.2004
CIB
H01L 21/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H01L 21/336 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
H01L 27/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 29/786 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
CPC
H01L 21/02675
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02656Special treatments
02664Aftertreatments
02667Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
02675using laser beams
H01L 21/2026
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth ; solid phase epitaxy
2022Epitaxial regrowth of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. lateral epitaxy by seeded solidification, solid-state crystallization, solid-state graphoepitaxy, explosive crystallization, grain growth in polycrystalline materials
2026using a coherent energy beam, e.g. laser or electron beam
H01L 27/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
H01L 27/1251
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1251comprising TFTs having a different architecture, e.g. top- and bottom gate TFTs
H01L 27/1281
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1259Multistep manufacturing methods
127with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
1274using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
1281by using structural features to control crystal growth, e.g. placement of grain filters
H01L 29/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
04characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
Déposants
  • 日本電気株式会社 NEC CORPORATION [JP/JP]; 〒1088001 東京都港区芝五丁目7番1号 Tokyo 7-1, Shiba 5-chome Minato-ku Tokyo 108-8001, JP (AllExceptUS)
  • 奥村 展 OKUMURA, Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 奥村 展 OKUMURA, Hiroshi; JP
Mandataires
  • 高橋 勇 TAKAHASHI, Isamu; 〒1010031 東京都千代田区東神田1丁目10番7号 篠田ビル7階 Tokyo 7th Floor, Shinoda Bldg. 10-7, Higashi Kanda 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 101-0031, JP
Données relatives à la priorité
2003-18459527.06.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, ELECTRONIC APPARATUS AND PROCESS FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR THIN FILM
(FR) TRANSISTOR EN COUCHES MINCES, SUBSTRAT DE TRANSISTOR EN COUCHES MINCES, APPAREIL ELECTRONIQUE ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UN FILM MINCE SEMI-CONDUCTEUR POLYCRISTALLIN
(JA) 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ基板、電子機器及び多結晶半導体薄膜の製造方法
Abrégé
(EN)
A TFT and the like easily realizing such properties as a low threshold voltage level, a high carrier mobility, a low leak current. The TFT comprises a poly-Si film having a small thermal capacity part and a large thermal capacity part, wherein at least the small thermal capacity part is used as a channel part. The poly-Si film is formed of a grain film by laser annealing at such an energy density that the small thermal capacity part is fused completely but the large thermal capacity part is not fused completely. Since the channel part is formed of rough grains grown from the interface between the small thermal capacity part and the large thermal capacity part, such properties as a low threshold voltage level, a high carrier mobility, and a low leak current can be realized easily using a common laser annealer.
(FR)
L'invention concerne un transistor en couches minces et analogue qui permet d'acquérir des propriétés telles qu'un faible niveau de tension de seuil, une mobilité de porteur de charge élevée et un faible courant de fuite. Le transistor en couches minces comprend un film poly-Si comprenant une partie de faible capacité thermique qui est utilisée comme partie de canal. Le film poly-Si est constitué d'un film granuleux par recuit laser à une densité d'énergie telle que la partie de faible capacité thermique ne fond pas complètement. Etant donné que la partie canal est constituée de grains grossiers formés depuis l'interface entre la partie de faible capacité thermique et la partie de grande capacité thermique, il est possible d'acquérir des propriétés telles qu'un faible niveau de tension de seuil, une mobilité de porteur de charge élevée et un faible courant de fuite au moyen d'un dispositif de recuit laser.
(JA)
低しきい電圧値、高キャリア移動度及び低リーク電流等の性能を簡単に実現できるTFT等を提供する。TFTは、小熱容量部と大熱容量部とを有する多結晶Si膜からなり、小熱容量部が少なくともチャネル部として用いられものである。そして、多結晶Si膜は、小熱容量部が完全溶融するとともに大熱容量部が完全溶融しないエネルギ密度のレーザアニールによる結晶粒膜によって形成されている。小熱容量部と大熱容量部との界面から成長した粗大結晶粒によってチャネル部が構成されるので、一般的なレーザアニール装置を用いて低しきい電圧値、高キャリア移動度及び低リーク電流等の性能を簡単に実現できる。
Également publié en tant que
US2006246632
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