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Paramétrages

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1. WO2005001912 - PROCEDE PERMETTANT DE MESURER UNE DEVIATION DE FOCALISATION LORS D'UNE EXPOSITION DE MOTIFS ET PROCEDE D'EXPOSITION DE MOTIFS

Numéro de publication WO/2005/001912
Date de publication 06.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/007732
Date du dépôt international 28.05.2004
CIB
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
G03F 9/02 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
9Mise en registre ou positionnement d'originaux, de masques, de trames, de feuilles photographiques, de surfaces texturées, p.ex. automatique
02combinés avec des moyens de mise au point automatique
H01L 21/027 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
CPC
G03F 7/70433
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput, printing product fields larger than the image field, compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching, double patterning
70433Layout for increasing efficiency, for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields,; Use of mask features for increasing efficiency, for compensating imaging errors
G03F 7/70625
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70616Wafer pattern monitoring, i.e. measuring printed patterns or the aerial image at the wafer plane
70625Pattern dimensions, e.g. line width, profile, sidewall angle, edge roughness
G03F 7/70641
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70616Wafer pattern monitoring, i.e. measuring printed patterns or the aerial image at the wafer plane
70641Focus
Déposants
  • 松下電器産業株式会社 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 〒5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
  • 福本 博文 FUKUMOTO, Hirofumi; null (UsOnly)
  • 氏丸 直彦 UJIMARU, Naohiko; null (UsOnly)
  • 旭 憲一 ASAHI, Ken-ichi; null (UsOnly)
  • 岩本 文男 IWAMOTO, Fumio; null (UsOnly)
Inventeurs
  • 福本 博文 FUKUMOTO, Hirofumi; null
  • 氏丸 直彦 UJIMARU, Naohiko; null
  • 旭 憲一 ASAHI, Ken-ichi; null
  • 岩本 文男 IWAMOTO, Fumio; null
Mandataires
  • 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ IKEUCHI SATO & PARTNER PATENT ATTORNEYS; 〒5306026 大阪府大阪市北区天満橋1丁目8番30号OAPタワー26階 Osaka 26th Floor, OAP TOWER 8-30, Tenmabshi 1-chome, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 530-6026, JP
Données relatives à la priorité
2003-15301929.05.2003JP
2003-34683106.10.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF MEASURING FOCUS DEVIATION IN PATTERN EXPOSURE AND PATTERN EXPOSURE METHOD
(FR) PROCEDE PERMETTANT DE MESURER UNE DEVIATION DE FOCALISATION LORS D'UNE EXPOSITION DE MOTIFS ET PROCEDE D'EXPOSITION DE MOTIFS
(JA) パターン露光におけるフォーカスずれ量の測定方法およびパターン露光方法
Abrégé
(EN)
A plurality of sets of first measurement patterns each including a convex pattern consisting of a resist film and a concave pattern having a space with a shape corresponding to the convex pattern are formed on a first substrate so as to be different in focus value when exposed, the edge inclination amounts of the plurality of first measurement pattern are measured, and the focus dependencies (17) of the above edge inclination amounts are determined based on the correspondences (7), (14) between the above edge inclination amounts and the above focus values. Second measurement patterns including the above convex patterns and the concave patterns are formed on a second substrate, the edge inclination amounts of the second measurement patterns are measured, and the deviation amounts from the best focus when the second measurement patterns are exposed are calculated form the edge inclination amounts of the second measurement patterns based on the focus dependencies of the above edge inclination amounts. The sizes of spaces of the above convex patterns and the concave patterns are set differently so that best focus values when respective patterns are exposed are close to one another.
(FR)
Selon la présente invention, on forme sur un premier substrat une pluralité d'ensembles de premiers motifs de mesure comprenant chacun un motif convexe constitué par un film de réserve et un motif concave comportant un espace dont la forme correspond au motif convexe de façon qu'ils possèdent une valeur de focalisation différente lors de leur exposition, on mesure les quantités d'inclinaison des bords de la pluralité de premiers motifs de mesure, et on détermine les dépendances de focalisation (17) des quantités d'inclinaison des bords sur la base des correspondances (7), (14) entre les quantités d'inclinaison des bords précités et les valeurs de focalisation précitées. On forme ensuite sur un second substrat de seconds motifs de mesure comprenant les motifs convexes et les motifs concaves précités, on mesure les quantités d'inclinaison des bords, et on calcule les quantités de déviation par rapport à la meilleure focalisation lors de l'exposition des seconds motifs de mesure à partir des quantités d'inclinaison des bords des seconds motifs de mesure sur la base des dépendances de focalisation des quantités d'inclinaison des bords précitées. On établit différemment la taille des espaces des motifs convexes et des motifs concaves précités de façon que les meilleures valeurs de focalisation lors de l'exposition des motifs respectifs sont proches les unes des autres.
(JA)
第1の基板上に、レジスト膜からなる凸パターン及び前記凸パターンに対応する形状のスペースを有する凹パターンを含む第1の測定パターンを複数組、露光時のフォーカス値を異ならせて形成し、前記複数の第1の測定パターンのエッジ傾斜量を測定し、前記エッジ傾斜量と前記フォーカス値との対応(7)、(14)に基づいて、前記エッジ傾斜量のフォーカス依存性(17)を求める。第2の基板上に、前記凸パターン及び前記凹パターンを含む第2の測定パターンを形成し、前記第2の測定パターンのエッジ傾斜量を測定し、前記エッジ傾斜量のフォーカス依存性に基づき、前記第2の測定パターンのエッジ傾斜量から、前記第2の測定パターンの露光時におけるベストフォーカスからのフォーカスずれ量を算出する。前記凸パターンと前記凹パターンのスペースの寸法を、各々のパターン露光時のベストフォーカス値が接近するように異ならせて設定する。
Également publié en tant que
US2006285098
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