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Paramétrages

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1. WO2005001911 - APPAREIL PERMETTANT DE CONTROLER LA VITESSE D'ECOULEMENT DE GAZ UTILISES DANS UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS PAR PRESSION DIFFERENTIELLE

Numéro de publication WO/2005/001911
Date de publication 06.01.2005
N° de la demande internationale PCT/KR2004/001533
Date du dépôt international 24.06.2004
CIB
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
CPC
G05D 7/0635
GPHYSICS
05CONTROLLING; REGULATING
DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
7Control of flow
06characterised by the use of electric means
0617specially adapted for fluid materials
0629characterised by the type of regulator means
0635by action on throttling means
Y10T 137/7722
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
137Fluid handling
7722Line condition change responsive valves
Y10T 137/7759
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
137Fluid handling
7722Line condition change responsive valves
7758Pilot or servo controlled
7759Responsive to change in rate of fluid flow
Y10T 137/7761
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
137Fluid handling
7722Line condition change responsive valves
7758Pilot or servo controlled
7761Electrically actuated valve
Y10T 137/8326
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
137Fluid handling
8158With indicator, register, recorder, alarm or inspection means
8326Fluid pressure responsive indicator, recorder or alarm
Déposants
  • HYUNDAI CALIBRATION & CERTIFICATION TECHNOLOGIES CO., LTD [KR/KR]; 136-1, San, Amili Bubaleup, Echunsi Kyungki-do 467-866, KR (AllExceptUS)
  • AHN, Kang-Ho [KR/KR]; KR
Inventeurs
  • AHN, Kang-Ho; KR
Mandataires
  • LIM, Young-Hee; Sinmyung Bldg 3rd Fl. 645-21, Yoksam-dong, Kangnam-gu Seoul 138-080, KR
Données relatives à la priorité
10-2003-004258427.06.2003KR
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) APPARATUS FOR CONTROLLING FLOW RATE OF GASES USED IN SEMICONDUCTOR DEVICE BY DIFFERENCIAL PRESSURE
(FR) APPAREIL PERMETTANT DE CONTROLER LA VITESSE D'ECOULEMENT DE GAZ UTILISES DANS UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS PAR PRESSION DIFFERENTIELLE
Abrégé
(EN)
Provided is apparatus for controlling flow rate of gases used in semiconductor device by differential pressure by generating differential pressure in a fluid path. A differential pressure generation element generates pressure difference in the fluid path of gases used in semiconductor device fabrication, a pressure , sensor which is installed at a bypass of the fluid path detects the pressure difference, and a central processing unit(CPU) measures and controls a flow rate of the gases, thereby the present invention is capable of controlling the flow rate precisely and rapidly, and enhancing the degree of purity of the gases by the filtering function of the differential pressure generation element itself.
(FR)
L'invention concerne un appareil permettant de contrôler la vitesse d'écoulement de gaz utilisés dans un dispositif à semi-conducteurs par pression différentielle grâce à la génération d'une pression différentielle dans un trajet de fluide. Un élément de génération de pression différentielle génère une différence de pression dans le trajet de fluide des gaz utilisés dans la fabrication du dispositif à semi-conducteurs, un détecteur de pression installé au niveau d'une déviation du trajet de fluide détecte la différence de pression, et une unité centrale (CPU) mesure et contrôle une vitesse d'écoulement des gaz, si bien que le procédé selon l'invention permet de contrôler précisément et rapidement la vitesse d'écoulement, et d'améliorer le degré de pureté des gaz grâce à la fonction de filtrage de l'élément de génération de pression différentielle.
Également publié en tant que
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