Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2005001899 - DISPOSITIFS ELECTROMECANIQUES NON VOLATILS A EFFET DE CHAMP, CIRCUITS METTANT EN OEUVRE CES DISPOSITIFS ET PROCEDES DE FABRICATION CORRESPONDANT

Numéro de publication WO/2005/001899
Date de publication 06.01.2005
N° de la demande internationale PCT/US2004/018349
Date du dépôt international 09.06.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 10.01.2005
CIB
G11C 11/00 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
G11C 11/50 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
50utilisant l'actionnement de contacts électriques pour emmagasiner l'information
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
B82Y 99/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
99Subject matter not provided for in other groups of this subclass
G11C 13/025
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
02using elements whose operation depends upon chemical change
025using fullerenes, e.g. C60, or nanotubes, e.g. carbon or silicon nanotubes
G11C 16/0416
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
04using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
0408comprising cells containing floating gate transistors
0416comprising cells containing a single floating gate transistor and no select transistor, e.g. UV EPROM
G11C 17/16
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
17Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
14in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
16using electrically-fusible links
G11C 17/165
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
17Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
14in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
16using electrically-fusible links
165Memory cells which are electrically programmed to cause a change in resistance, e.g. to permit multiple resistance steps to be programmed rather than conduct to or from non-conduct change of fuses and antifuses
Déposants
  • NANTERO, INC. [US/US]; 25-D Olympia Avenue Woburn, MA 01801, US (AllExceptUS)
  • BERTIN, Claude, L. [US/US]; US (UsOnly)
  • RUECKES, Thomas [DE/US]; US (UsOnly)
  • SEGAL, Brent, M. [US/US]; US (UsOnly)
  • VOGELI, Bernhard [CH/US]; US (UsOnly)
  • BROCK, Darren, K. [US/US]; US (UsOnly)
  • JAIPRAKASH, Venkatachalam, C. [IN/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • BERTIN, Claude, L.; US
  • RUECKES, Thomas; US
  • SEGAL, Brent, M.; US
  • VOGELI, Bernhard; US
  • BROCK, Darren, K.; US
  • JAIPRAKASH, Venkatachalam, C.; US
Mandataires
  • DICHIARA, Peter, M. ; Wilmer Cutler Pickering Hale and Dorr LLP 60 State Street Boston, MA 02109, US
Données relatives à la priorité
60/476,97609.06.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) NON-VOLATILE ELECTROMECHANICAL FIELD EFFECT DEVICES AND CIRCUITS USING SAME AND METHODS OF FORMING SAME
(FR) DISPOSITIFS ELECTROMECANIQUES NON VOLATILS A EFFET DE CHAMP, CIRCUITS METTANT EN OEUVRE CES DISPOSITIFS ET PROCEDES DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abrégé
(EN)
Non-volatile field effect devices and circuits using same. A non-volatile field effect transistor utilizes a nanatube-based mechanical switch (30). The switch location can be at the source, drain or gate locations of the field effect transistor. Under one embodiment, the field effect device includes a source region and a drain region with a channel region (27) disposed therebetween. The source region is connected to a corresponding terminal (T2). A gate structure is disposed over the channel region and connected to a corresponding terminal (T1). A nanotube switching element (30) is responsive to a first control terminal (T3) and a second control terminal (T4) and is electrically positioned in series between the drain region and a terminal corresponding to the drain region. The nanotube switching element is electromechanically operable to one of an open and closed state to thereby open or close an electrical communication path between the drain region and its corresponding terminal.
(FR)
L'invention se rapporte à des dispositifs à effet de champ non volatils et à des circuits mettant en oeuvre ces dispositifs. Un dispositif à effet de champ non volatil comprend une source, un drain et une porte avec un canal à champ modulable entre la source et le drain. La source, le drain et la porte possèdent chacun une borne correspondante. Un élément de commutation à nanotube, pouvant être dévié électromécaniquement, est positionné électriquement entre l'un des éléments que sont la source, le drain et la porte et sa borne correspondante. Les autres éléments parmi la source, le drain et la porte sont connectés directement à leurs bornes correspondantes. L'élément de commutation à nanotube peut être dévié électromécaniquement en réponse à une stimulation électrique au niveau de deux bornes de commande pour créer soit un état de communication électrique ouvert non volatil soit un état de communication électrique fermé non volatil entre l'élément choisi parmi la source, le drain et la porte et sa borne correspondante. Dans un mode de réalisation, l'une des deux bornes de commande possède une surface diélectrique conçue pour entrer en contact avec l'élément de commutation à nanotube lors de la création d'un état d'ouverture non volatil. Dans un mode de réalisation, la source, le drain et la porte peuvent être simulés à tout niveau de tension depuis une tension de masse jusqu'à une tension d'alimentation, et les deux bornes de commande sont stimulées à tout niveau de tension depuis la tension de masse jusqu'à une tension de seuil de commutation supérieure en intensité à la tension d'alimentation. Dans un mode de réalisation, l'élément de commutation à nanotube comporte un article fabriqué à partir d'un nanotissu qui est positionné entre les deux bornes de commande. Dans un mode de réalisation, l'une des deux bornes de commande est une électrode de dégagement conçue pour tirer électrostatiquement l'article nanotube et supprimer le contact avec l'un des éléments que sont la source, le drain et la porte afin de former un état ouvert non volatil. Dans un mode de réalisation, l'autre des deux bornes de commande est une électrode de positionnement permettant de tirer électrostatiquement l'article nanotube pour l'amener en contact avec l'un des éléments que sont la source, le drain et la porte afin de former un état fermé non volatil.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international