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Paramétrages

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1. WO2005001577 - SYSTEME ET PROCEDE DE METROLOGIE OPTIQUE DE PLAQUETTES SEMI-CONDUCTRICES

Numéro de publication WO/2005/001577
Date de publication 06.01.2005
N° de la demande internationale PCT/US2004/014547
Date du dépôt international 10.05.2004
CIB
G01B 11/06 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
BMESURE DE LA LONGUEUR, DE L'ÉPAISSEUR OU DE DIMENSIONS LINÉAIRES ANALOGUES; MESURE DES ANGLES; MESURE DES SUPERFICIES; MESURE DES IRRÉGULARITÉS DES SURFACES OU CONTOURS
11Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de moyens optiques
02pour mesurer la longueur, la largeur ou l'épaisseur
06pour mesurer l'épaisseur
G01N 21/21 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
17Systèmes dans lesquels la lumière incidente est modifiée suivant les propriétés du matériau examiné
21Propriétés affectant la polarisation
G01N 21/956 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
84Systèmes spécialement adaptés à des applications particulières
88Recherche de la présence de criques, de défauts ou de souillures
95caractérisée par le matériau ou la forme de l'objet à analyser
956Inspection de motifs sur la surface d'objets
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
CPC
G01B 11/0616
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
11Measuring arrangements characterised by the use of optical means
02for measuring length, width or thickness
06for measuring thickness, e.g. of sheet material
0616of coating
G01N 21/211
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
21Polarisation-affecting properties
211Ellipsometry
G01N 21/956
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
95characterised by the material or shape of the object to be examined
956Inspecting patterns on the surface of objects
G03F 7/70633
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70616Wafer pattern monitoring, i.e. measuring printed patterns or the aerial image at the wafer plane
70633Overlay
Déposants
  • THERMA-WAVE, INC. [US/US]; 1250 Reliance Way Fremont, CA 94539, US (AllExceptUS)
Inventeurs
  • SEZGINER, Abdurrahman; US
  • ZIMMERMAN, Michelle; US
Mandataires
  • STALLMAN, Michael, A. ; Stallman & Pollock LLP 353 Sacramento Street Suite 2200 San Francisco, CA 94111, US
Données relatives à la priorité
10/459,63111.06.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SYSTEM AND METHOD FOR OPTICAL MERTOLOGY OF SEMICONDUCTOR WAFERS
(FR) SYSTEME ET PROCEDE DE METROLOGIE OPTIQUE DE PLAQUETTES SEMI-CONDUCTRICES
Abrégé
(EN)
An optical metrology system is disclosed which is configured to minimize the measurement of specularly reflected light and measure primarily scattered light. The system is similar to prior art beam profile measurements but includes a movable baffle to selectively block specularly reflected light. In addition, certain non-periodic, isolated targets are disclosed suitable for evaluating overlay registration.
(FR)
L'invention concerne un système de métrologie optique qui est conçu pour réduire au minimum la mesure de la lumière réfléchie spéculairement et mesurer essentiellement la lumière diffusée. Ledit système s'apparente aux systèmes actuels de mesure de profil de faisceau mais comprend un déflecteur mobile permettant de bloquer sélectivement la lumière réfléchie spéculairement. L'invention concerne en outre certaines cibles isolées non périodiques, appropriées pour évaluer une superposition.
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