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Paramétrages

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1. WO2005001573 - PROCEDE DE COLLAGE PAR PHOTOLITHOGRAPHIE DES ECHELLES DE GRIS

Numéro de publication WO/2005/001573
Date de publication 06.01.2005
N° de la demande internationale PCT/US2004/015641
Date du dépôt international 19.05.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 09.05.2005
CIB
G03F 1/00 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
G03F 7/075 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004Matériaux photosensibles
075Composés contenant du silicium
CPC
G03F 7/0757
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
075Silicon-containing compounds
0757Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
G03F 7/201
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
20Exposure; Apparatus therefor
2002with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
201characterised by an oblique exposure; characterised by the use of plural sources; characterised by the rotation of the optical device; characterised by a relative movement of the optical device, the light source, the sensitive system or the mask
G03F 7/40
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
40Treatment after imagewise removal, e.g. baking
G03F 7/405
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
40Treatment after imagewise removal, e.g. baking
405Treatment with inorganic or organometallic reagents after imagewise removal
H01L 2224/29
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
29of an individual layer connector
H01L 2224/29101
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
29of an individual layer connector
29001Core members of the layer connector
29099Material
291with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
29101the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
Déposants
  • DOW CORNING CORPORATION [US/US]; 2200 West Salzburg Road Midland, MI 48686-0994, US (AllExceptUS)
  • GARDNER, Geoffrey [US/US]; US (UsOnly)
  • LEE, Yeong, Joo [KR/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • GARDNER, Geoffrey; US
  • LEE, Yeong, Joo; US
Mandataires
  • BROWN, Catherine, U.; Patent Department - Mail CO1232 2200 West Salzburg Road Midland, MI 48686-0994, US
Données relatives à la priorité
60/480,64123.06.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ADHESION METHOD USING GRAY-SCALE PHOTOLITHOGRAPHY
(FR) PROCEDE DE COLLAGE PAR PHOTOLITHOGRAPHIE DES ECHELLES DE GRIS
Abrégé
(EN)
A method for adhering substrates using gray-scale photolithography includes: (a) applying a photopatternable composition to a surface of a substrate to form a film; (b) exposing a portion of the film to radiation having a wavelength of from 150 to 800 nm through a gray-scale photomask to produce an exposed film having non-exposed regions covering at least a portion of the surface; (c) heating the exposed film for an amount of time such that the exposed regions are substantially insoluble in a developing solvent and the non­exposed regions are soluble in the developing solvent; (d) removing the non-exposed regions of the heated film with the developing solvent to form a patterned film; (e) heating the patterned film for an amount of time sufficient to form a cured patterned film having a surface; (f) activating the surface of the cured patterned film and a surface of an adherend; (g) contacting the activated. surface of the cured patterned film with the activated surface of the adherend. The photopatternable composition includes: (A) an organopolysiloxane containing an average of at least two silicon-bonded unsaturated organic groups per molecule, (B) an organosilicon compound containing an average of at least two silicon-bonded hydrogen atoms per molecule in a concentration sufficient to cure the composition, and (C) a catalytic amount of a photoactivated hydrosilylation catalyst.
(FR)
La présente invention concerne un procédé permettant de coller des substrats par photolithographie des échelles de gris. Ce procédé comporte plusieurs opérations. (a) Application d'une composition phototraçable sur une surface d'un substrat pour former un film. (b) Exposition d'une partie du film à du rayonnement d'une longueur d'ondes de 150 à 800 nm via un masque photographique à échelles de gris de façon à obtenir un film exposé dont des régions non exposées recouvre au moins une partie de la surface. (c) Chauffage du film exposé pendant assez longtemps pour que les régions exposées deviennent sensiblement insolubles dans un solvant de développement et que les régions non exposées soient solubles dans un solvant de développement. (d) Elimination des régions non exposées du film chauffé au moyen du solvant de développement de façon à former un film tracé. (e) Chauffage du film tracé assez longtemps pour former un film tracé durci présentant une surface. (f) Activation de la surface du film tracé durci et d'une surface d'un élément adhérant. (g) Mise en contact de la surface activée du film tracé durci avec la surface activée de l'élément adhérant. La composition phototraçable comprend (A) un organopolysiloxane, (B) un composé organisilicique, et un catalyseur d'hydrosilylation. L'organopolysiloxane (A) contient en moyenne au moins deux groupes organiques insaturés bordés de silicium. Le composé organisilicique (B) contient, par molécule, en moyenne au moins deux atomes d'hydrogène bordés de silicium, sous une concentration suffisant pour durcir la composition. Enfin, le catalyseur (C) d'hydrosilylation, qui est photoactivé, est présent en une quantité suffisante pour permettre la catalyse.
Également publié en tant que
US2007160936
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international