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Paramétrages

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1. WO2005001168 - PROCEDE DE SYNTHESE D'UN MATERIAU CRISTALLIN ET MATERIAU OBTENU PAR CE PROCEDE

Numéro de publication WO/2005/001168
Date de publication 06.01.2005
N° de la demande internationale PCT/FR2004/001634
Date du dépôt international 25.06.2004
CIB
C30B 1/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
1Croissance des monocristaux à partir de l'état solide
02par traitement thermique, p.ex. recuit sous contrainte
C30B 25/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
25Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p.ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur
02Croissance d'une couche épitaxiale
CPC
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
C30B 1/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
1Single-crystal growth directly from the solid state
02by thermal treatment, e.g. strain annealing
C30B 25/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
C30B 29/605
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
60characterised by shape
605Products containing multiple oriented crystallites, e.g. columnar crystallites
Y10T 428/30
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
428Stock material or miscellaneous articles
30Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer
Déposants
  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE - CNRS [FR/FR]; 3, rue Michel Ange F-75794 Paris Cedex 16, FR (AllExceptUS)
  • PRIBAT, Didier [FR/FR]; FR (UsOnly)
Inventeurs
  • PRIBAT, Didier; FR
Mandataires
  • BURBAUD, Eric ; Cabinet Plasseraud 65/67 rue de la Victoire F-75440 Paris Cedex 09, FR
Données relatives à la priorité
03/0784927.06.2003FR
Langue de publication français (FR)
Langue de dépôt français (FR)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF SYNTHESISING A CRYSTALLINE MATERIAL AND MATERIAL THUS OBTAINED
(FR) PROCEDE DE SYNTHESE D'UN MATERIAU CRISTALLIN ET MATERIAU OBTENU PAR CE PROCEDE
Abrégé
(EN)
The invention relates to a method of synthesising a crystalline material and to the material thus obtained. The inventive method consists in: producing seeds (6) of a catalyst on a substrate (2), said catalyst being adapted to solubilise carbon; growing carbon nanotubes (8) from the seeds (6); and producing a layer of a second material comprising at least one monocrystalline domain (12) which is oriented from a seed (6). The invention also relates to the material obtained using said method. The invention is suitable for the synthesis of polycrystalline silicon on a glass substrate.
(FR)
L'invention concerne un procédé de synthèse d'un matériau cristallin, dans lequel on réalise, sur un substrat (2) d'un premier matériau, des germes (6) d'un catalyseur adapté pour solubiliser du carbone, on fait croître des nanotubes de carbone (8) à partir des germes (6), et on réalise une couche d'un deuxième matériau, comportant au moins un domaine monocristallin (12) orienté à partir d'un germe (6) . L'invention concerne également le matériau obtenu par ce procédé. Application à la synthèse de silicium polycristallin sur un substrat de verre.
Également publié en tant que
US2006280945
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