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Paramétrages

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1. WO2005000568 - DISPOSITIF GRILLE DE CONNEXION DOTE D'UN INDICATEUR DE PUCE MIS A L'AIR LIBRE

Numéro de publication WO/2005/000568
Date de publication 06.01.2005
N° de la demande internationale PCT/US2004/019636
Date du dépôt international 16.06.2004
CIB
H01L 21/44 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
44Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/36-H01L21/428177
H01L 21/48 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
48Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326218
H01L 21/50 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
H01L 23/495 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488formées de structures soudées
495Cadres conducteurs
H01R 43/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
RCONNEXIONS CONDUCTRICES DE L'ÉLECTRICITÉ; ASSOCIATION STRUCTURELLE DE PLUSIEURS ÉLÉMENTS DE CONNEXION ÉLECTRIQUE ISOLÉS LES UNS DES AUTRES; DISPOSITIFS DE COUPLAGE; COLLECTEURS DE COURANT
43Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication, l'assemblage, l'entretien ou la réparation de connecteurs de lignes ou de collecteurs de courant ou pour relier les conducteurs électriques
CPC
H01L 21/4832
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
4814Conductive parts
4821Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
4828Etching
4832Etching a temporary substrate after encapsulation process to form leads
H01L 21/6835
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
6835using temporarily an auxiliary support
H01L 2221/68377
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2221Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
68304using temporarily an auxiliary support
68377with parts of the auxiliary support remaining in the finished device
H01L 2224/29007
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
29of an individual layer connector
29001Core members of the layer connector
29005Structure
29007Layer connector smaller than the underlying bonding area
H01L 2224/32014
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
32of an individual layer connector
3201Structure
32012relative to the bonding area, e.g. bond pad
32014the layer connector being smaller than the bonding area, e.g. bond pad
H01L 2224/32245
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
32of an individual layer connector
321Disposition
32151the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
32221the body and the item being stacked
32245the item being metallic
Déposants
  • ADVANCED INTERCONNECT TECHNOLOGIES LIMITED [MU/MU]; c/o Valmet (Mauritius) Limited 608 St. James Court, St. Denis Street Port Louis, MU (AllExceptUS)
  • JUSKEY, Frank, J. [US/US]; US (UsOnly)
  • PHIPPS, Gregory, J. [US/US]; US (UsOnly)
  • LAU, Daniel, K. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • JUSKEY, Frank, J.; US
  • PHIPPS, Gregory, J.; US
  • LAU, Daniel, K.; US
Mandataires
  • GESCHKE, Elizabeth, A. ; Wiggin and Dana LLP One Century Tower P.O. Box 1832 New Haven, CT 06508-1832, US
Données relatives à la priorité
60/482,53325.06.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) LEAD FRAME DEVICE WITH VENTED DIE FLAG
(FR) DISPOSITIF GRILLE DE CONNEXION DOTE D'UN INDICATEUR DE PUCE MIS A L'AIR LIBRE
Abrégé
(EN)
A molded plastic semiconductor package (10) having reduced sensitivity to moisture level includes a die paddle (22) having at least one aperture (26) extending therethrough. A semiconductor die (30) is bonded to a first surface (32) of the die paddle (22) and spans the aperture (26). Once the semiconductor die (30) is electrically interconnected to an array of lead pads (24), the molding resin (42) encapsulates the semiconductor die (30) and first sides (32) of the die paddle (22) and array of lead pads (24). Opposing second sides of the die paddle (22) and array of lead pads (24) are exposed through a package surface in a QFN (Quad Flat No lead) configuration. The egress of moisture absorbed by the package (10) is facilitated by way of the aperture (26).
(FR)
L'invention concerne un emballage (10) en plastique moulé destiné à un semi-conducteur et ayant une sensibilité réduite au niveau d'humidité. Cet emballage comprend une plaquette de puce (22) ayant au moins une ouverture traversante (26). Une puce semi-conductrice (30) est liée à une première surface (32) de la plaquette de puce (22) et enjambe l'ouverture (26). Une fois la puce semi-conductrice (30) électriquement interconnectée à un réseau de plages de connexion (24) destinées aux fils, la résine de moulage (42) encapsule la puce semi-conductrice (30) et les premiers côtés (32) de la plaquette de puce (22) et du réseau de plages de connexion (24) destinées aux fils. Les deuxièmes côtés opposés de la plaquette de puce (22) et du réseau de plages de connexion (24) destinées aux fils sont exposés par une surface d'emballage dans une configuration QFN (Quad Flat No lead). L'évacuation de l'humidité absorbée par l'emballage (10) est facilitée par l'ouverture (26).
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international