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1. WO2004102579 - EFFACEMENT ET PROGRAMMATION D'UN DISPOSITIF A MEMOIRE ORGANIQUE ET PROCEDES DE FONCTIONNEMENT ET DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2004/102579
Date de publication 25.11.2004
N° de la demande internationale PCT/US2004/011811
Date du dépôt international 16.04.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 04.03.2005
CIB
G11C 11/56 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
56utilisant des éléments d'emmagasinage comportant plus de deux états stables représentés par des échelons, p.ex. de tension, de courant, de phase, de fréquence
G11C 13/02 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
13Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes G11C11/, G11C23/ ou G11C25/197
02utilisant des éléments dont le fonctionnement dépend d'un changement chimique
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
G11C 11/5664
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
56using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
5664using organic memory material storage elements
G11C 13/0009
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0009RRAM elements whose operation depends upon chemical change
G11C 13/0014
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0009RRAM elements whose operation depends upon chemical change
0014comprising cells based on organic memory material
G11C 13/0016
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0009RRAM elements whose operation depends upon chemical change
0014comprising cells based on organic memory material
0016comprising polymers
G11C 2213/15
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2213Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
10Resistive cells; Technology aspects
15Current-voltage curve
Déposants
  • ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US]/[US] (AllExceptUS)
  • LAN, Zhida (UsOnly)
  • BILL, Colin, S. (UsOnly)
  • VANBUSKIRK, Michael, A. (UsOnly)
Inventeurs
  • LAN, Zhida
  • BILL, Colin, S.
  • VANBUSKIRK, Michael, A.
Mandataires
  • COLLOPY, Daniel, R.
  • PICKER, Madeleine M
Données relatives à la priorité
10/436,78613.05.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ERASING AND PROGRAMMING AN ORGANIC MEMORY DEVICE AND METHODS OF OPERATING AND FABRICATING
(FR) EFFACEMENT ET PROGRAMMATION D'UN DISPOSITIF A MEMOIRE ORGANIQUE ET PROCEDES DE FONCTIONNEMENT ET DE FABRICATION
Abrégé
(EN)
An organic memory cell (100, 1300, 1500) made of two electrodes (104, 110, 1304, 1306, 1502, 1504) with a selectively conductive media (106/108, 1308) between the two electrodes (104, 110, 1304, 1306, 1502, 1504) is disclosed. The selectively conductive media (106/108, 1308) contains an organic layer (108, 300, 400, 500) and passive layer (106, 200). The selectively conductive media (106/108, 1308) is programmed by applying bias voltages that program a desired impedance state (1301, 1302, 1303) for a memory cell (100, 1300, 1500). The desired impedance state (1301, 1302, 1303) represents one or more bits of information and the memory cell (100, 1300, 1500) does not require constant power or refresh cycles to maintain the desired impedance state. Furthermore, the selectively conductive media (106/108, 1308) is read by applying a current and reading the impedance of the media (106/108, 1308) in order to determine the impedance state (1301, 1302, 1303) of the memory cell (100, 1300, 1500). Methods of making the organic memory devices/cells (100, 1300, 1500), methods of using the organic memory devices/cells (100, 1300, 1500), and devices such as computers containing the organic memory devices/cells (100, 1300, 1500) are also disclosed.
(FR)
L'invention porte sur une cellule de mémoire organique (100, 1300, 1500) constituée de deux électrodes (104, 110, 1304, 1306, 1502, 1504) entre lesquelles est placé un support sélectivement conducteur (106/108, 1308) qui contient une couche organique (108, 300, 400, 500) et une couche passive (106, 200). Le support sélectivement conducteur (106/108, 1308) est programmé par application de tensions de polarisation qui programment un état d'impédance désiré (1301, 1302, 1303) pour une cellule de mémoire (100, 1300, 1500). Cet état d'impédance désiré (1301, 1302, 1303) représente un ou plusieurs bits d'information et la cellule de mémoire (100, 1300, 1500) ne nécessite pas une puissance constante ou des cycles de rafraîchissement pour maintenir l'état d'impédance désiré. En outre, le support sélectivement conducteur (106/108, 1308) est lu par application d'un courant et par relevé de l'impédance du support (106/108, 1308) afin de déterminer l'état d'impédance (1301, 1302, 1303) de la cellule de mémoire (100, 1300, 1500). L'invention porte sur des procédés de fabrication de dispositifs/cellules de mémoire organique (100, 1300, 1500),sur leurs procédés d'utilisation et sur des dispositifs tels que des ordinateurs contenant les dispositifs/cellules de mémoire organique (100, 1300, 1500).
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