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1. WO2004101842 - FILM MINCE WURTSRITE, LAMELLE CONTENANT UNE COUCHE DE CRISTAUX WURZRITE ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CE FILM

Numéro de publication WO/2004/101842
Date de publication 25.11.2004
N° de la demande internationale PCT/JP2004/006553
Date du dépôt international 14.05.2004
CIB
C23C 14/06 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
06caractérisé par le matériau de revêtement
C30B 23/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
23Croissance des monocristaux par condensation d'un matériau évaporé ou sublimé
H01L 41/316 2013.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
31Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support
314par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie
316par dépôt en phase vapeur
H01L 41/257 2013.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
22Procédés ou appareils spécialement adaptés à l'assemblage, la fabrication ou au traitement de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs, ou de leurs parties constitutives
253Traitement de dispositifs ou de leurs parties constitutives afin de modifier une propriété piézo-électrique ou électrostrictive, p.ex. les caractéristiques de polarisation, de vibration ou par réglage du mode
257par polarisation
CPC
C23C 14/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
C30B 23/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
23Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
C30B 29/403
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
403AIII-nitrides
C30B 29/406
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
403AIII-nitrides
406Gallium nitride
H01L 41/257
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
22Processes or apparatus specially adapted for the assembly, manufacture or treatment of piezo-electric or electrostrictive devices or of parts thereof
253Treating devices or parts thereof to modify a piezo-electric or electrostrictive property, e.g. polarisation characteristics, vibration characteristics or mode tuning
257by polarising
H01L 41/316
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
22Processes or apparatus specially adapted for the assembly, manufacture or treatment of piezo-electric or electrostrictive devices or of parts thereof
31Applying piezo-electric or electrostrictive parts or bodies onto an electrical element or another base
314by depositing piezo-electric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
316by vapour phase deposition
Déposants
  • NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • AKIYAMA, Morito [JP]/[JP] (UsOnly)
  • UENO, Naohiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • TATEYAMA, Hiroshi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • KAMOHARA, Toshihiro [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • AKIYAMA, Morito
  • UENO, Naohiro
  • TATEYAMA, Hiroshi
  • KAMOHARA, Toshihiro
Mandataires
  • HARA, Kenzo
Données relatives à la priorité
2003-13768815.05.2003JP
2003-13950616.05.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) WURTZRITE THIN FILM, LAMINATE CONTAINING WURTZRITE CRYSTAL LAYER, AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) FILM MINCE WURTSRITE, LAMELLE CONTENANT UNE COUCHE DE CRISTAUX WURZRITE ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CE FILM
(JA) ウルツ鉱型薄膜、ウルツ鉱型結晶層を含む積層体、および、これらの製造方法
Abrégé
(EN)
A thin film of a compound having a wurtzrite structure which is produced by the use of a reactive sputtering method using a metal material as a target and a nitrogen or oxygen gas as a reactive gas. A wurtzrite thin film having crystal grains being same in the polarization direction can be produced by the optimization of conditions for film forming in the production. A laminate which further has a first wurtzrite crystal layer comprising a wurtzrite crystal structure compound having been formed in advance on the substrate side of a functional substance layer as an under layer. The laminate has a second wurtzrite crystal layer formed on the functional substance layer which is improved in crystallinity and the orientation of crystals.
(FR)
La présente invention concerne un film mince d'un composé possédant une structure wurtzrite qui est produit par un procédé de pulvérisation réactive utilisant un matériau métallique comme cible et un gaz azote ou oxygène comme gaz réactif. On peut produire un film mince wurtzrite possédant des grains de cristaux dans le même sens de polarisation en optimisant les conditions de formation du film dans la production. La présente invention concerne aussi un lamellé qui possède aussi une première couche de cristaux wurtzrite comprenant un composé de structure de cristaux wurtzrite formé en avance sur le côté du substrat possédant une couche de substance fonctionnelle sous forme de sous couche. Ce lamellé possède une seconde couche de cristaux wurtzrite formée sur cette couche de substance fonctionnelle dont la cristallinité et l'orientation des cristaux sont améliorées.
(JA)
 本発明では、金属材料をターゲットとし、窒素または酸素ガスを反応性ガスとして用いる反応性スパッタリング法を用いて、ウルツ鉱型構造の化合物の薄膜を製造する。そして、製造時の成膜条件を最適化することによって、結晶粒の分極方向の揃ったウルツ鉱型薄膜を得ることができる  また、本発明の積層体では、下地となる機能性物質層の基板側に、さらにウルツ鉱型結晶構造化合物からなる第1のウルツ鉱型結晶層の層をあらかじめ形成することにより、機能性物質層上に形成された第2のウルツ鉱型結晶層の結晶性および結晶配向性を向上させる。
Également publié en tant que
US2007057285
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