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1. WO2004101840 - PROCEDE DE REMPLISSAGE D'ESPACES AU MOYEN D'UNE COMBINAISON DE TECHNIQUES DE DEPOT DE VERRE PAR ROTATION ET DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR

Numéro de publication WO/2004/101840
Date de publication 25.11.2004
N° de la demande internationale PCT/US2004/002850
Date du dépôt international 30.01.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 02.12.2004
CIB
H01L 21/762 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76Réalisation de régions isolantes entre les composants
762Régions diélectriques
H01L 21/768 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
CPC
H01L 21/76229
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
76224using trench refilling with dielectric materials
76229Concurrent filling of a plurality of trenches having a different trench shape or dimension, e.g. rectangular and V-shaped trenches, wide and narrow trenches, shallow and deep trenches
Déposants
  • APPLIED MATERIALS INC. [US]/[US] (AllExceptUS)
  • CUI, Zhenjiang [CN]/[US] (UsOnly)
  • ROBERTS, Rick, J. [US]/[US] (UsOnly)
  • COX, Michael, S. [US]/[US] (UsOnly)
  • ZHAO, Jun [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • CUI, Zhenjiang
  • ROBERTS, Rick, J.
  • COX, Michael, S.
  • ZHAO, Jun
Mandataires
  • TOBIN, Kent, J.
Données relatives à la priorité
10/431,03106.05.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) GAPFILL PROCESS USING A COMBINATION OF SPIN-ON-GLASS DEPOSITION AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION TECHNIQUES
(FR) PROCEDE DE REMPLISSAGE D'ESPACES AU MOYEN D'UNE COMBINAISON DE TECHNIQUES DE DEPOT DE VERRE PAR ROTATION ET DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
Abrégé
(EN)
A method of filling a plurality of trenches etched in a substrate. In one embodiment the method includes depositing a layer of spin-on glass material over the substrate and into the plurality of trenches; exposing the layer of spin-on glass material to a solvent; curing the layer of spin-on glass material; and depositing a layer of silica glass over the cured spin-on glass layer using a chemical vapor deposition technique.
(FR)
L'invention concerne un procédé de remplissage d'une pluralité de tranchées gravées dans un substrat. Dans un mode de réalisation, le procédé consiste à déposer une couche de matériau en verre déposé par rotation sur le substrat et dans la pluralité de tranchées ; à exposer la couche de matériau en verre déposé par rotation à un solvant ; à durcir la couche de matériau en verre déposé par rotation ; et à déposer une couche de verre de silice sur la couche de verre déposé par rotation durcie au moyen d'une technique de dépôt chimique en phase vapeur.
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