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1. WO2004101223 - APPAREIL DE POLISSAGE DE SUBSTRAT

Numéro de publication WO/2004/101223
Date de publication 25.11.2004
N° de la demande internationale PCT/JP2004/006768
Date du dépôt international 13.05.2004
CIB
B24B 37/04 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
37Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires
04conçus pour travailler les surfaces planes
B24B 49/12 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
49Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meuler; Agencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p.ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage
12impliquant des dispositifs optiques
H01L 21/306 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
CPC
B24B 37/013
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
005Control means for lapping machines or devices
013Devices or means for detecting lapping completion
B24B 37/205
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
11Lapping tools
20Lapping pads for working plane surfaces
205provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
B24B 49/12
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
49Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
12involving optical means
H01L 21/30625
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
30625With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
Déposants
  • EBARA CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • HIROKAWA, Kazuto [JP]/[JP] (UsOnly)
  • NAKAI, Shunsuke [JP]/[JP] (UsOnly)
  • OHTA, Shinrou [JP]/[JP] (UsOnly)
  • WADA, Yutaka [JP]/[JP] (UsOnly)
  • KOBAYASHI, Yoichi [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • HIROKAWA, Kazuto
  • NAKAI, Shunsuke
  • OHTA, Shinrou
  • WADA, Yutaka
  • KOBAYASHI, Yoichi
Mandataires
  • WATANABE, Isamu
Données relatives à la priorité
2003-13847916.05.2003JP
2003-13849616.05.2003JP
2003-13878216.05.2003JP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE POLISHING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE POLISSAGE DE SUBSTRAT
Abrégé
(EN)
A substrate polishing apparatus polishes a surface of a substrate such as a semiconductor wafer to a flat mirror finish. The substrate polishing apparatus according to the present invention has a rotatable table (12) having a polishing pad (16) for polishing a semiconductor substrate (18), a light emission and reception device (80,82) for emitting measurement light through a through hole (84) formed in the polishing pad (16) to the semiconductor substrate (18) and receiving reflected light from the semiconductor substrate (18) so as to measure a film on the semiconductor substrate (18), and a supply passage (44) for supplying a fluid to a path of the measurement light. The supply passage (44) has an outlet portion positioned in the through hole (84).
(FR)
L'invention concerne un appareil de polissage de substrat polissant une surface d'un substrat, notamment une plaquette semi-conductrice pour obtenir un fini de miroir plat. Cet appareil de polissage de substrat présente une table rotative (12) présentant un tampon de polissage (16) permettant de polir un substrat semi-conducteur (18), un dispositif d'émission et de réception de lumière (80, 82) permettant d'émettre une lumière de mesure à travers un trou traversant (84) formé dans le tampon de polissage (16) sur le substrat semi-conducteur (18) et de recevoir une lumière réfléchie provenant du substrat semi-conducteur (18), de sorte à mesurer un film situé sur le substrat semi-conducteur (18), et un passage d'alimentation (44) permettant d'injecter un fluide vers une trajectoire de la lumière de mesure. Le passage d'alimentation (44) présente une partie de sortie positionnée dans le trou traversant (84).
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