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1. WO2004100269 - FACTEUR D'IMAGE DE TYPE A FILM MINCE A TAUX D'OUVERTURE ELEVE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT

Numéro de publication WO/2004/100269
Date de publication 18.11.2004
N° de la demande internationale PCT/KR2004/000071
Date du dépôt international 16.01.2004
CIB
H01L 27/14 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
H01L 31/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
CPC
H01L 27/1255
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1255integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
H01L 27/14643
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14643Photodiode arrays; MOS imagers
Déposants
  • SILICONIMAGEWORKS INC. [KR]/[KR] (AllExceptUS)
  • YI, JongHoon [KR]/[KR] (UsOnly)
Inventeurs
  • YI, JongHoon
Mandataires
  • OH, ByeongSeok
Données relatives à la priorité
10-2003-002925509.05.2003KR
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) THIN FILM TYPE IMAGE SENSOR OF HIGH APERTURE RATIO AND A METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF
(FR) FACTEUR D'IMAGE DE TYPE A FILM MINCE A TAUX D'OUVERTURE ELEVE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abrégé
(EN)
It is disclosed that an image sensor includes a light detecting element for generating a light current according to the quantity of light when the light emitted from a predetermined light source is reflected by a predetermined subject, a storage capacitor for storing information in the form of an electronic charge transmitted from the light detecting element, and a switching element for outputting the information stored by the storage capacitor to the outside, wherein the light detecting element is located above the switching element.
(FR)
L'invention concerne un capteur d'image comprenant un élément de détection de lumière permettant de générer un courant lumineux en fonction de la quantité de lumière lorsque la lumière émise à partir d'une source de lumière prédéfinie est réfléchie par un sujet prédéfini, un condensateur mémoire permettant de stocker des informations sous forme de charge électronique transmises à partir de l'élément de détection de lumière, et un élément de commutation permettant d'émettre les informations stockées par le condensateur mémoire vers l'extérieur, l'élément de détection de lumière étant situé au-dessus de l'élément de commutation.
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