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1. WO2004100200 - PHOTODETECTEUR DE GALETTE DE MICROCANAUX A SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2004/100200
Date de publication 18.11.2004
N° de la demande internationale PCT/US2004/013744
Date du dépôt international 01.05.2004
CIB
H01L 31/107 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
102caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface
107la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
CPC
G01J 1/4228
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED, VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
1Photometry, e.g. photographic exposure meter
42using electric radiation detectors
4228arrangements with two or more detectors, e.g. for sensitivity compensation
G01J 1/44
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED, VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
1Photometry, e.g. photographic exposure meter
42using electric radiation detectors
44Electric circuits
H01L 27/1443
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
1443with at least one potential jump or surface barrier
H01L 27/1446
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
1446in a repetitive configuration
H01L 27/14625
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14625Optical elements or arrangements associated with the device
H01L 27/14627
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14625Optical elements or arrangements associated with the device
14627Microlenses
Déposants
  • YALE UNIVERSITY [US]/[US] (AllExceptUS)
  • HARMON, Eric, S. [US]/[US] (UsOnly)
  • SALZMAN, David, B. [US]/[US] (UsOnly)
  • WOODALL, Jerry, M. [US]/[US] (UsOnly)
  • HYLAND, James, T. [US]/[US] (UsOnly)
  • KOUDELKA, Robert [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • HARMON, Eric, S.
  • SALZMAN, David, B.
  • WOODALL, Jerry, M.
  • HYLAND, James, T.
  • KOUDELKA, Robert
Mandataires
  • GARROD, David
Données relatives à la priorité
60/467,09001.05.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SOLID STATE MICROCHANNEL PLATE PHOTODETECTOR
(FR) PHOTODETECTEUR DE GALETTE DE MICROCANAUX A SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé
(EN)
A solid state microchannel plate is disclosed comprising a multiplicity of photodetector elements, each using limited gain from a small Geiger mode avalanche and summing the contributions thereof. An array of such multiplicities operates as a pixelated linear or area photodetector. In the preferred embodiment, a multiplicity of passively quenched photodetector elements 461A, 461B, connect to a common anode 413, and each photodetector element is passively quenched by its own current-limiting resistor in series with its cathode.
(FR)
L'invention concerne une galette de microcanaux à semi-conducteurs qui comprend une pluralité d'éléments photodétecteurs, chacun utilisant le gain limité d'une petite photodiode à avalanche qui fonctionne en mode Geiger et additionnant leurs contributions. Un réseau desdits éléments photodétecteurs fonctionne en tant que photodétecteur de surface ou linéaire pixélisé. Dans le mode de réalisation préféré, une pluralité d'éléments photodétecteurs à coupure passive sont reliés à une anode commune, et chaque élément photodétecteur est coupé de manière passive par sa propre résistance de limitation de courant montée en série avec sa cathode.
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