WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2004099472) CRISTAL COMPOSE III-V SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/099472    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/004811
Date de publication : 18.11.2004 Date de dépôt international : 01.04.2004
CIB :
C30B 25/02 (2006.01), C30B 25/18 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi Osaka, 5410041 (JP) (Tous Sauf US).
NAKAHATA, Seiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
UEMATSU, Koji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIROTA, Ryu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAKAHATA, Seiji; (JP).
UEMATSU, Koji; (JP).
HIROTA, Ryu; (JP)
Mandataire : NAKANO, Minoru; c/o Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1-3, Shimaya 1-chome Konohana-ku, Osaka-shi Osaka, 5540024 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-129829 08.05.2003 JP
Titre (EN) III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) CRISTAL COMPOSE III-V SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
(JA) III-Ⅴ族化合物結晶およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for producing a III-V compound crystal, characterized in that it comprises a first step of depositing a metal film (2) on a substrate (1), a second step of subjecting the metal film (2) to a heat treatment in an atmosphere containing a compound capable of patterning the metal film, and a step of growing a III-V compound crystal (4) on the metal film (2) after the heat treatment, or in that it comprises the above first and second steps, a step of growing a III-V compound buffer film on the metal film after the heat treatment, and a step of growing a III-V compound crystal on the III-V compound buffer film. The above method allows the production of a good III-V compound crystal using various substrates with the occurrence of no cracks with ease and simplicity at a low cost.
(FR)La présente invention a trait à un procédé de production d'un cristal composé d'éléments III-V, caractérisé en ce qu'il comprend une première étape de dépôt d'un film métallique (2) sur un substrat (1), une deuxième étape d'application d'un traitement thermique sur le film métallique (2) sous une atmosphère contenant un composé capable de réaliser un tracé sur le film métallique, et une étape de croissance d'un cristal composé d'éléments III-V (4) sur le film métallique (2) après le traitement thermique, ou en ce qu'il comprend lesdites première et deuxième étapes, une étape de croissance d'un film tampon de composé d'éléments III-V sur le film métallique suite au traitement thermique, et une étape de croissance de cristal composé d'éléments III-V sur le film tampon de composé d'éléments III-V. Le procédé de l'invention permet la production aisée, simple et économique d'un bon cristal composé d'éléments III-V utilisant divers substrats et ne produisant aucune fissure.
(JA) 種々の基板を用いてもクラックを発生することなく良好なIII−V族化合物結晶が得られる簡便でコストの低いIII−V族化合物結晶の製造方法を提供する。 基板1上に金属膜2を堆積する工程と、前記金属膜2をパターニングする化合物の存在雰囲気下で熱処理する工程と、前記熱処理後の金属膜2上にIII−V族化合物結晶4を成長させる工程とを備えることを特徴とするIII−V族化合物結晶の製造方法。また、上記熱処理工程の後に、前記熱処理後の金属膜上にIII−V族化合物バッファ膜を成長させる工程と、前記III−V族化合物バッファ膜上にIII−V族化合物結晶を成長させる工程とを備えることを特徴とするIII−V族化合物結晶の製造方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)