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1. WO2004097943 - DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT

Numéro de publication WO/2004/097943
Date de publication 11.11.2004
N° de la demande internationale PCT/JP2004/006157
Date du dépôt international 28.04.2004
CIB
H01L 21/336 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
H01L 29/786 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
CPC
H01L 29/66545
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409Unipolar field-effect transistors
66477with an insulated gate, i.e. MISFET
66545using a dummy, i.e. replacement gate in a process wherein at least a part of the final gate is self aligned to the dummy gate
H01L 29/66553
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409Unipolar field-effect transistors
66477with an insulated gate, i.e. MISFET
66553using inside spacers, permanent or not
H01L 29/66621
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409Unipolar field-effect transistors
66477with an insulated gate, i.e. MISFET
66568Lateral single gate silicon transistors
66613with a gate recessing step, e.g. using local oxidation
66621using etching to form a recess at the gate location
H01L 29/66772
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409Unipolar field-effect transistors
66477with an insulated gate, i.e. MISFET
66742Thin film unipolar transistors
66772Monocristalline silicon transistors on insulating substrates, e.g. quartz substrates
H01L 29/7834
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
7833with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's
7834with a non-planar structure, e.g. the gate or the source or the drain being non-planar
H01L 29/78621
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
78606with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
78618characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
78621with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile
Déposants
  • 松下電器産業株式会社 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 井上 彰 INOUE, Akira (UsOnly)
  • 髙木 剛 TAKAGI, Takeshi (UsOnly)
  • 空田 晴之 SORADA, Haruyuki (UsOnly)
Inventeurs
  • 井上 彰 INOUE, Akira
  • 髙木 剛 TAKAGI, Takeshi
  • 空田 晴之 SORADA, Haruyuki
Mandataires
  • 角田 嘉宏 SUMIDA, Yoshihiro
Données relatives à la priorité
2003-12404328.04.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
(JA) 半導体装置とその製造方法
Abrégé
(EN)
A semiconductor device composed of an MISFET is disclosed which comprises a semiconductor layer (3) whose surface is provided with a recessed portion (101) having an opening with a closed periphery, a gate insulating film (13) formed to cover at least the inner surface of the recessed portion (101), a gate electrode (14) filling the recessed portion (101) while having the gate insulating film (13) stand between the gate electrode (14) and the inner surface of the recessed portion (101), and a pair of source/drain (102) which are arranged on both sides of the gate electrode (14) when viewed in plan and have a certain depth from the surface of the semiconductor layer (3).
(FR)
Cette invention se rapporte à un dispositif à semi-conducteur composé d'un transistor à effet de champ MISFET, qui comprend une couche de semi-conducteur (3) dans la surface et pourvue d'une partie évidée (101) ayant une ouverture avec pourtour fermé, un film d'isolation de grille (13) formée de façon à recouvrir au moins la surface interne de la partie évidée (101), une électrode de grille (14) remplissant la partie évidée (101) alors que le film d'isolation de grille (13) se situe entre l'électrode de grille (14) et la surface interne de la partie évidée (101), et une paire source/drain (102) placée de part et d'autre de l'électrode de grille (14) vue en plan et présentant une certaine profondeur à partir de la surface de la couche de semi-conducteur (3).
(JA)
本発明のMISFETからなる半導体装置は、表面に外周が閉じた開口を有する凹部(101)が形成された半導体層(3)と、少なくとも凹部(3)の内面を覆うように形成されたゲート絶縁膜(13)と、凹部(101)の内面との間にゲート絶縁膜(13)が介在するようにして凹部(101)を埋めるゲート電極(14)と、平面視においてゲート電極(14)の両側に位置しかつ半導体層(3)の表面から所定の深さに渡るように形成された一対のソース・ドレイン(102)とを備えている。
Également publié en tant que
US2007108514
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