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1. WO2004097932 - PROCEDE DE GALVANOPLASTIE DU CUIVRE SUR UNE COUCHE DIELECTRIQUE FORMEE POUR L'AMELIORATION DE L'UNIFORMITE D'UN PROCESSUS DE POLISSAGE CHIMICO-MECANIQUE SUBSEQUENT

Numéro de publication WO/2004/097932
Date de publication 11.11.2004
N° de la demande internationale PCT/US2003/041181
Date du dépôt international 22.12.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 16.11.2004
CIB
H01L 21/288 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
288à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique
H01L 21/768 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
CPC
H01L 21/2885
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes ; conducting electric current
288from a liquid, e.g. electrolytic deposition
2885using an external electrical current, i.e. electro-deposition
H01L 21/7684
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76838characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
7684Smoothing; Planarisation
H01L 21/76877
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76838characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
76877Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
Déposants
  • ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • MARXSEN, Gerd, Franz
  • PREUSSE, Axel
  • NOPPER, Markus
  • MAUERSBERGER, Frank
Mandataires
  • DRAKE, Paul, E.
  • PFAU, Anton, K.
Données relatives à la priorité
10/666,19519.09.2003US
103 19 135.628.04.2003DE
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF ELECTROPLATING COPPER OVER A PATTERNED DIELECTRIC LAYER TO ENHANCE PROCESS UNIFORMITY OF A SUBSEQUENT CMP PROCESS
(FR) PROCEDE DE GALVANOPLASTIE DU CUIVRE SUR UNE COUCHE DIELECTRIQUE FORMEE POUR L'AMELIORATION DE L'UNIFORMITE D'UN PROCESSUS DE POLISSAGE CHIMICO-MECANIQUE SUBSEQUENT
Abrégé
(EN)
In a new method of plating metal onto dielectric layers including small diameter vias and large diameter trenches (205), a surface roughness is created by e.g. reducing the amount of leveler in the plating bath at least on non-patterned regions (206) of the dielectric layer (203) to enhance the uniformity of material removal in a subsequent chemical mechanical polishing (CMP) process.
(FR)
La présente invention concerne un nouveau procédé de galvanoplastie métallique sur des couches diélectriques possédant des voies de petit diamètre et des tranchées de diamètre important (205). Selon ce nouveau procédé, une certaine dureté surperficielle est engendrée, par exemple, par diminution de la quantité d'agent égalisant dans le bain galvanoplastique au moins sur des régions non formées (206) de la couche diélectrique (203), de manière à améliorer l'uniformité de l'élimination de matières, au cours d'un processus de polissage chimico-mécanique subséquent.
Également publié en tant que
GB0521254
GBGB0521254.3
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