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1. WO2004097822 - TETE D'ENREGISTREMENT/LECTURE ET DISPOSITIF D'ENREGISTREMENT/LECTURE

Numéro de publication WO/2004/097822
Date de publication 11.11.2004
N° de la demande internationale PCT/JP2004/006045
Date du dépôt international 27.04.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 27.09.2004
CIB
G11B 9/00 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
BENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR
9Enregistrement ou reproduction par un procédé ou des moyens non couverts par un des groupes principaux G11B3/-G11B7/155; Supports d'enregistrement correspondants
G11B 9/07 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
BENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR
9Enregistrement ou reproduction par un procédé ou des moyens non couverts par un des groupes principaux G11B3/-G11B7/155; Supports d'enregistrement correspondants
06utilisant des supports d'enregistrement ayant une capacité électrique variable; Supports d'enregistrement correspondants
07Têtes pour la reproduction de l'information capacitive
G11B 11/08 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
BENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR
11Enregistrement sur, ou reproduction depuis le même support d'enregistrement, dans lesquels, pour ces deux opérations, les procédés ou les moyens sont couverts par différents groupes principaux des groupes G11B3/-G11B7/257; Supports d'enregistrement correspondants
08utilisant l'enregistrement par charge électrique ou par variation de résistance électrique ou de capacité
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
G11B 11/08
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
11Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
08using recording by electric charge or by variation of electric resistance or capacitance
G11B 9/075
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
9Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
06using record carriers having variable electrical capacitance; Record carriers therefor
07Heads for reproducing capacitive information
075using mechanical contact with record carrier, e.g. by stylus
G11B 9/14
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
9Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
12using near-field interactions; Record carriers therefor
14using microscopic probe means ; , i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
G11B 9/1409
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
9Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
12using near-field interactions; Record carriers therefor
14using microscopic probe means ; , i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
1409Heads
Déposants
  • パイオニア株式会社 PIONEER CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 長 康雄 CHO, Yasuo [JP]/[JP]
  • 尾上 篤 ONOE, Atsushi [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 長 康雄 CHO, Yasuo
  • 尾上 篤 ONOE, Atsushi
Mandataires
  • 江上 達夫 EGAMI, Tatsuo
Données relatives à la priorité
2003-12631901.05.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) RECORDING/REPRODUCTION HEAD AND RECORDING/REPRODUCTION DEVICE
(FR) TETE D'ENREGISTREMENT/LECTURE ET DISPOSITIF D'ENREGISTREMENT/LECTURE
(JA) 記録再生ヘッド及び記録再生装置
Abrégé
(EN)
A phase-change recording/reproduction head (1) includes: a probe (11) consisting of a recording/reproduction electrode (11a), an insulation layer (13) arranged on the tip portion of the recording/reproduction electrode (11a), and a resistor (14) arranged on the insulation layer (13); and a return electrode (12) arranged around the probe (11). During recording, voltage corresponding to the recording data is applied to the resistor (14) so that the phase change recording medium is changed from a crystalline state to an amorphous state. During reproduction, FM-modulated frequency of an oscillator oscillating according to the capacity corresponding to the dielectric constant of the crystalline state and the amorphous state is demodulated, thereby reproducing data with a high SN ratio.
(FR)
L'invention concerne une tête (1) d'enregistrement/lecture à changement de phase comprenant : une sonde (11) constituée d'une électrode (11a) d'enregistrement/lecture, d'une couche isolante (13) disposée sur la pointe de l'électrode (11a) d'enregistrement/lecture, et d'une résistance (14) placée sur la couche isolante (13) ; et une électrode (12) de référence disposée autour de la sonde (11). Pendant l'enregistrement, la tension correspondant aux données d'enregistrement est appliquée à la résistance (14) de manière à modifier la phase du support d'enregistrement et de la faire passer d'un état cristallin à un état amorphe. Pendant la lecture, la fréquence d'un oscillateur, modulée par modulation de fréquence (FM), oscillant en fonction de la capacitance correspondant à la constante diélectrique de l'état cristallin et de l'état amorphe, est démodulée, de manière à permettre la lecture des données avec un rapport signal/bruit élevé.
(JA)
not available
Également publié en tant que
GB0522313
GBGB0522313.6
US2007014047
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