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1. WO2004097528 - PROCEDE ET METHODE D'IDENTIFICATION D'EFFETS LITHOGRAPHIQUES SUR UNE PLAQUETTE

Numéro de publication WO/2004/097528
Date de publication 11.11.2004
N° de la demande internationale PCT/IB2004/001267
Date du dépôt international 27.04.2004
CIB
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
CPC
G03F 7/70558
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
7055Exposure light control, in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control, light interruption
70558Dose control, i.e. achievement of a desired dose
G03F 7/70625
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70616Wafer pattern monitoring, i.e. measuring printed patterns or the aerial image at the wafer plane
70625Pattern dimensions, e.g. line width, profile, sidewall angle, edge roughness
G03F 7/70658
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70616Wafer pattern monitoring, i.e. measuring printed patterns or the aerial image at the wafer plane
70658Electrical
Déposants
  • KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL]/[NL] (AllExceptUS)
  • ZIGER, David [US]/[US] (UsOnly)
  • QIAN, Steven [CN]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • ZIGER, David
  • QIAN, Steven
Mandataires
  • KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.
Données relatives à la priorité
60/466,49029.04.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SYSTEM AND METHOD FOR CHARACTERIZING LITHOGRAPHY EFFECTS ON A WAFER
(FR) PROCEDE ET METHODE D'IDENTIFICATION D'EFFETS LITHOGRAPHIQUES SUR UNE PLAQUETTE
Abrégé
(EN)
In the manufacture of semiconductors, it is often necessary to characterize the effect of line width and line width shape on yield. In an example embodiment, there is a method (200) for randomizing exposure conditions across a substrate. The method comprises generating a list of random numbers (210). A random number is mapped (220) to an exposure field, forming a list of random numbers and corresponding exposure fields. The list or random numbers and corresponding exposure fields is sorted (230) by random number. To each exposure field in the list sorted by random number, an exposure dose is assigned (240). The list is sorted is sorted by exposure field (250).
(FR)
Lors de la fabrication de semi-conducteurs, il est souvent nécessaire d'identifier l'effet de la largeur des lignes et de la forme de la largeur des lignes sur le produit. Dans un mode de réalisation décrit à titre d'exemple, un procédé (200) permet de randomiser des conditions d'exposition d'un substrat. Le procédé comprend la génération d'une liste de numéros aléatoires (210). Chaque numéro aléatoire est mis en correspondance (220) avec un champ d'exposition de façon à former une liste de numéros aléatoires et des champs d'exposition correspondants. La liste de numéros aléatoires et des champs d'exposition correspondants est triée (230) par numéro aléatoire. Une dose d'exposition est attribuée (240) à chaque champ d'exposition dans la liste triée par numéro aléatoire. La liste est alors triée par champ d'exposition (250).
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