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1. WO2004097527 - SYSTEME LITHOGRAPHIQUE SANS MASQUE

Numéro de publication WO/2004/097527
Date de publication 11.11.2004
N° de la demande internationale PCT/DE2004/000924
Date du dépôt international 29.04.2004
CIB
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
CPC
G03F 7/70291
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70216Systems for imaging mask onto workpiece
70283Masks or their effects on the imaging process, e.g. Fourier masks, greyscale masks, holographic masks, phase shift masks, phasemasks, lenticular masks, multiple masks, tilted masks, tandem masks
70291Addressable masks
G03F 7/70991
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
708Construction of apparatus, e.g. environment, hygiene aspects or materials
70991Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus, shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate, utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids, vacuum
Déposants
  • FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • WALF, Godhard [DE]/[DE] (UsOnly)
  • KUHLOW, Berndt [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • WALF, Godhard
  • KUHLOW, Berndt
Données relatives à la priorité
103 19 154.229.04.2003DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) MASKENLOSES LITHOGRAPHIESYSTEM
(EN) MASKLESS LITHOGRAPHIC SYSTEM
(FR) SYSTEME LITHOGRAPHIQUE SANS MASQUE
Abrégé
(DE)
Bei maskenlosen Lithographiesystemen zur Herstellung von nanostrukturierten Halbleiterschaltungen entstehen große Datenmengen zur Ansteuerung der Aperturen in den programmierbaren Mustererzeugungssystemen im Inneren der Vakuumkammer. Die bekannte Datenübertragung erfolgt elektrisch über aufwändige, platzeinnehmende und mechanisch in der Kontaktierung stark belastende Drahtverbindungen. Dagegen erfolgt die Datenübertragung bei dem erfindungsgemäßen Lithographiesystem (1) mit einem leistungsfähigen elektrooptischen Freistrahlverbindungssystem (8), mit dem die optischen Musterdaten von Lichtaustrittsorten (10) mittels Freistrahlen (11) auf Lichteintrittsorte (12) im Inneren der Vakuumkammer (4) zur Erzeugung von Steuersignalen geführt werden. Das Mustererzeugungssystem (6) wird durch das Entfallen von mechanischen Kontaktierungen stark entlastet. In der Freistrahlstrecke können sich die Bahnen der Freistrahlen (11) und des Teilchenstrahls (5) beeinflussungsfrei kreuzen. Deshalb können die Lichtein-trittsorte (12), beispielsweise aktive Photodioden (19), auch direkt im Musterer-zeugungssystem (6) räumlich angeordnet werden. Die Lichtaustrittsorte (10), beispielsweise passive Lichtwellenleiter (20), die in mehrpoligen Faserarray-steckern gebündelt werden können, oder aktive Sendelaser können auch außerhalb der Vakuumkammer (4) angeordnet sein, wobei die Freistrahlen (11) durch ein Fenster (21) hineingeleitet werden.
(EN)
Large amounts of data for controlling the apertures in programmable pattern production systems inside the vacuum chamber occur in maskless lithographic systems for the production of nano-structured semiconductor circuits. The known data transmission is carried out electrically by means of complicated, bulky wire connections which add a heavy mechanical burden in terms of contacting. According to the inventive lithographic system (1), data transmission is carried out by means of a powerful electrooptical free-beam connection system (8) enabling the optical pattern data to be guided from light exit places (10) to light entrance places (12) inside the vacuum chamber (4) by means of free beams in order to produce control signals. The burden on the pattern production system (6) is significantly reduced by the disappearance of mechanical contacts. The paths of the free beams (11) and the particle beams (F) can intersect each other in a non-influential manner in the track of the free beam path. The light exit places (10), e.g. active photodiodes (19) can also be spatially disposed directly in the pattern production system (6). The light exit places (10), e.g. passive light waveguides (20) which can be bundled together to form multipolar fibre array plugs, or active transmission lasers can also be arranged outside the vacuum chamber (4). The free beams (11) are guided through a window (21).
(FR)
Dans le cas de systèmes lithographiques sans masque destinés à la fabrication de circuits à semiconducteurs nanostructurés, de grandes quantités de données sont produites pour la commande des ouvertures dans les systèmes de production de modèles programmables à l'intérieur de la chambre à vide. La transmission de données se fait électriquement par l'intermédiaire de connexions câblées coûteuses et encombrantes, constituant une contrainte mécanique dans la réalisation des contacts. Le système lithographique selon l'invention (1) fait intervenir un système de connexion à faisceau libre électrooptique efficace (8), destiné à transmettre les données de modèles optiques, de zones de sortie de lumière (10) vers des zones d'entrée de lumière (12), par l'intermédiaire de faisceaux libres (11), à l'intérieur de la chambre à vide (4), pour la production de signaux de commande. Le système de production de modèles (6) est ainsi simplifié considérablement du fait de la disparition des contacts mécaniques. Les trajectoires des faisceaux libres (11) et du faisceau de particules (5) peuvent se croiser librement. De ce fait, les zones d'entrée de lumière (12), par exemple des photodiodes actives (19), peuvent être disposées directement dans le système de production de modèles (6). Les zones de sortie de lumière (10), par exemple des fibres optiques passives (20) mises sous forme de faisceaux dans des fiches de réseaux de fibres multipôles, ou des lasers d'émission actifs, peuvent être disposées en dehors de la chambre à vide (4), les faisceaux libres (11) étant introduits par l'intermédiaire d'une fenêtre (21).
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