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1. WO2004095584 - TRANSISTOR BIPOLAIRE ET PROCEDE DE FABRICATION DUDIT TRANSISTOR

Numéro de publication WO/2004/095584
Date de publication 04.11.2004
N° de la demande internationale PCT/EP2004/050335
Date du dépôt international 19.03.2004
CIB
H01L 29/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
06caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
08avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/417 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40Electrodes
41caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
417transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/732 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70Dispositifs bipolaires
72Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
73Transistors bipolaires à jonction
732Transistors verticaux
CPC
H01L 29/0821
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
08with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
0821Collector regions of bipolar transistors
H01L 29/41708
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
41characterised by their shape, relative sizes or dispositions
417carrying the current to be rectified, amplified or switched
41708Emitter or collector electrodes for bipolar transistors
H01L 29/66272
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66234Bipolar junction transistors [BJT]
66272Silicon vertical transistors
H01L 29/732
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
70Bipolar devices
72Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
73Bipolar junction transistors
732Vertical transistors
Déposants
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • BÖCK, Josef [DE]/[DE] (UsOnly)
  • MEISTER, Thomas [DE]/[DE] (UsOnly)
  • STENGL, Reinhard [DE]/[DE] (UsOnly)
  • SCHÄFER, Herbert [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • BÖCK, Josef
  • MEISTER, Thomas
  • STENGL, Reinhard
  • SCHÄFER, Herbert
Mandataires
  • KINDERMANN, Peter
Données relatives à la priorité
103 18 422.823.04.2003DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) BIPOLARTRANSISTOR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DESSELBEN
(EN) BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) TRANSISTOR BIPOLAIRE ET PROCEDE DE FABRICATION DUDIT TRANSISTOR
Abrégé
(DE)
Die Erfindung betrifft einen Hochfrequenz-Bipolartransistor (1), bestehend aus zumindest einem Emitterkontakt (2), der an einen Emitteranschlussbereich (3) angrenzt, einem Basiskontakt (4), der an einem Basisanschlussbereich (5) angrenzt, einem Kollektorkontakt (6), der an einen Kollektoranschlussbereich (7) angrenzt, wobei als Kollektoranschlussbereich eine vergrabene Schicht (7) vorgesehen ist, die den Kollektorkontakt (6) mit einem Kollektorgebiet (14) verbindet. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung solch eines (15) Hochfrequenz-Bipolartransistors (1). Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass eine Silizidregion (8) auf der vergrabenen Schicht (7) vorgesehen ist, die den Kollektorkontakt (6) niederohmig an das Kollektorgebiet (14) anschliesst.
(EN)
The invention relates to a high-frequency-bipolar transistor (1) comprising at least one emitter contact (2) which borders on an emitter connection area (3), a base contact (4) which borders with a base connection area (5), a collector contact (6) which borders with a collector connection area (7). A buried layer (7) is provided as a collector connection area which joins the collector contact (6) to a collector area (14). The invention also relates to a method of production of one such (15) high-frequency bipolar transistor (1). The invention is characterised in that a silicide region (8) is provided on the buried layer (7), said silicide region connecting the collector contact (6) to the collector area (14) in a low-resistant manner
(FR)
L'invention concerne un transistor bipolaire haute fréquence (1), composé d'au moins un contact d'émetteur (2) adjacent à une zone de connexion d'émetteur (3), d'un contact de base (4) adjacent à une zone de connexion de base (5), d'un contact de collecteur (6) adjacent à une zone de connexion de collecteur (7). Selon cette invention, une couche enterrée (7) fait office de zone de connexion de collecteur, laquelle couche relie le contact de collecteur (6) à une zone de collecteur (14). Ladite invention concerne également un procédé de fabrication d'un transistor bipolaire haute fréquence de ce type (1). Cette invention se caractérise en ce qu'une zone de siliciure (8) est formée sur la couche enterrée (7), laquelle zone connecte à basse impédance le contact de collecteur (6) à la zone de collecteur (14).
Également publié en tant que
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