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Paramétrages

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1. WO2004095570 - STRUCTURE D'ESSAI PERMETTANT DE CONTROLER ELECTRIQUEMENT LA PROFONDEUR DE GRAVURES DE TRANCHEES D'ISOLATION DANS UNE TRANCHE SOI ET PROCEDES DE MISE EN OEUVRE ASSOCIES

Numéro de publication WO/2004/095570
Date de publication 04.11.2004
N° de la demande internationale PCT/DE2004/000815
Date du dépôt international 19.04.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 16.02.2005
CIB
H01L 23/544 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
544Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p.ex. marques de repérage, schémas de test
CPC
H01L 22/34
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
30Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
34Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
Déposants
  • X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • LERNER, Ralf [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • LERNER, Ralf
Mandataires
  • LEONHARD OLGEMOELLER FRICKE
Données relatives à la priorité
103 17 748.517.04.2003DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) TESTSTRUKTUR ZUR ELEKTRISCHEN UEBERPRUEFUNG DER TIEFEN VON TRENCH-AETZUNGEN IN EINEM SOI WAFER UND ZUGEHOERIGE ARBEITSVERFAHREN
(EN) TEST STRUCTURE FOR ELECTRICALLY VERIFYING THE DEPTHS OF TRENCH-ETCHINGS IN AN SOI WAFER, AND ASSOCIATED WORKING METHODS
(FR) STRUCTURE D'ESSAI PERMETTANT DE CONTROLER ELECTRIQUEMENT LA PROFONDEUR DE GRAVURES DE TRANCHEES D'ISOLATION DANS UNE TRANCHE SOI ET PROCEDES DE MISE EN OEUVRE ASSOCIES
Abrégé
(DE)
Eine einfach zu handhabende und sichere Erkennung des Zeitpunktes der Durchätzung von Isoliergräben auf die vergrabene Isolierschicht ist gesucht. Die technologische Sicherheit bei der Ätzung dieser Gräben soll erhöht, Ausschuß vermieden und Kosten eingespart werden können. Vorgeschlagen wird eine Teststruktur zur Überprüfung einer Isoliergrabenätzung in einer SOI Scheibe, wobei die Teststruktur nach einer Ätzung von Isoliergräben eine Reihe von zusammenhängenden Inseln aufweist, von der jede Insel mit einem Graben umgeben ist, welcher Graben von Insel zu Insel (A, B; B, C) von anderer Breite ist, unter Einschluss einer - in einer aktiven Schaltung als Isoliergraben vorkommenden - Grabenbreite. Ein Abschnitt des umgebenden Grabens (a, b) jeder Insel (A, B) bildet ein gemeinsames Stück mit dem Graben der benachbarten Insel. Der jeweilige Abschnitt hat bei den inneren Inseln die Breite des benachbarten Grabens mit dem nächst-größeren bzw. nächst-kleineren Breitenmaß in der Reihe.
(EN)
The aim of the invention is to discover a simple to implement and reliable recognition of the moment at which insulating trenches reach the buried insulating layer during an etching operation. The technological reliability during the etching of these trenches should be increased, the production of refuse should be prevented, and costs should be reduced. To these ends, the invention provides a test structure for verifying an insulating trench etching in an SOI wafer. After an etching of insulating trenches, this test structure has a row of connected islands, whereby each island is surrounded by a trench. This trench has a different width from island to island (A, B; B, C) while including a trench width that appears in the form of an insulating trench in an active circuit. A section of the surrounding trench (a, b) of each island (A, B) forms a common piece with the trench of adjacent islands. The respective section has, in the inner islands, the width of the adjacent trench having the next larger or next smaller measure of width in the row.
(FR)
L'objectif de l'invention est de créer un procédé permettant de détecter à quel moment la couche isolante enfouie est atteinte lors de la gravure de tranchées d'isolation, ce procédé devant être sûr et facile à mettre en oeuvre. Par ailleurs, la sécurité technologique lors de la gravure des tranchées doit être accrue, les rebuts doivent être évités et les coûts réduits. Cet objectif est atteint grâce à une structure d'essai servant à contrôler la gravure de tranchées d'isolation dans une tranche de silicium sur isolant (SOI). Cette structure d'essai présente à l'issue de la gravure de tranchées d'isolation une série d'îlots contigus, chaque îlot étant entouré par une tranchée présentant d'un îlot à l'autre (A, B ; B, C) une largeur différente, notamment une largeur de tranchée constituant une tranchée d'isolation dans un circuit actif. Une partie de la tranchée (a, b) entourant chaque îlot (A, B) est commune à la tranchée de l'îlot voisin. Cette partie commune possède au niveau des îlots intérieurs la largeur de la tranchée voisine de dimension immédiatement supérieure ou immédiatement inférieure dans la série.
Également publié en tant que
US2007054422
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