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1. WO2004095502 - SYSTEME ET PROCEDE DE TRAITEMENT AU PLASMA

Numéro de publication WO/2004/095502
Date de publication 04.11.2004
N° de la demande internationale PCT/US2004/001406
Date du dépôt international 21.01.2004
CIB
H01J 37/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
H01J 37/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
02Détails
H01J 37/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
CPC
H01J 2237/022
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
02Details
022Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
H01J 37/3244
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
3244Gas supply means
Déposants
  • TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • FINK, Steven, T. [US]/[US] (UsOnly)
  • MOROZ, Paul [US]/[US] (UsOnly)
  • STRANG, Eric, J. [US]/[US] (UsOnly)
  • MITROVIC, Andrej, S. [YU]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • FINK, Steven, T.
  • MOROZ, Paul
  • STRANG, Eric, J.
  • MITROVIC, Andrej, S.
Mandataires
  • LAZAR, Dale, S.
Données relatives à la priorité
60/458,43231.03.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) PLASMA PROCESSING SYSTEM AND METHOD
(FR) SYSTEME ET PROCEDE DE TRAITEMENT AU PLASMA
Abrégé
(EN)
A plasma processing system includes a chamber containing a plasma processing region and a chuck constructed and arranged to support a substrate within the chamber in the processing region. The plasma processing system further includes at least one gas injection passage in communication with the chamber and configured to facilitate removal of particles from the chamber by passing purge gas therethrough. In one embodiment, the plasma processing system can include an electrode configured to attract or repel particles in the chamber by electrostatic force when the electrode is biased with DC or RF power. A method of processing a substrate in a plasma processing system includes removing particles in a chamber of the plasma processing system by supplying purge gas through at least one gas injection passage in communication with the chamber.
(FR)
Un système de traitement au plasma comprend une chambre contenant une zone de traitement au plasma et un mandrin construit et disposé pour soutenir un substrat au sein de la chambre de la zone de traitement. Le système de traitement au plasma comporte également au moins un passage d'injection de gaz communiquant avec la chambre et est configuré pour faciliter le retrait de particules de la chambre par le passage de gaz de purge dans cette dernière. Dans un mode de réalisation, le système de traitement au plasma peut comprendre une électrode configurée pour attirer ou repousser par la force électrostatique les particules se trouvant dans la chambre, lorsque l'électrode est polarisée avec de l'énergie CC ou RF. Un procédé de traitement d'un substrat dans un système de traitement au plasma consiste à enlever les particules dans une chambre dudit système par l'amenée de gaz de purge dans au moins un passage d'injection de gaz communiquant avec la chambre.
Également publié en tant que
US11236535
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