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1. WO2004095477 - BRIDE ELECTROSTATIQUE HAUTE PERFORMANCE COMPRENANT UNE COUCHE RESISTANTE, DES MICRO-RAINURES ET UNE COUCHE DIELECTRIQUE

Numéro de publication WO/2004/095477
Date de publication 04.11.2004
N° de la demande internationale PCT/US2004/012549
Date du dépôt international 21.04.2004
CIB
H01L 21/683 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683pour le maintien ou la préhension
H02N 13/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
02PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
NMACHINES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
13Embrayages ou dispositifs de maintien utilisant l'attraction électrostatique, p.ex. utilisant l'effet Johnson-Rahbek
CPC
H01L 21/6833
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
6831using electrostatic chucks
6833Details of electrostatic chucks
H02N 13/00
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
NELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
13Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
Déposants
  • AXCELIS TECHNOLOGIES INC. [US]/[US] (AllExceptUS)
  • KELLERMAN, Peter [US]/[US] (UsOnly)
  • BENVENISTE, Victor [US]/[US] (UsOnly)
  • PHARAND, Michel [CA]/[US] (UsOnly)
  • STONE, Dale [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • KELLERMAN, Peter
  • BENVENISTE, Victor
  • PHARAND, Michel
  • STONE, Dale
Données relatives à la priorité
10/420,32922.04.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) HIGH-PERFORMANCE ELECTROSTATIC CLAMP COMPRISING A RESISTIVE LAYER, MICRO-GROOVES, AND DIELECTRIC LAYER
(FR) BRIDE ELECTROSTATIQUE HAUTE PERFORMANCE COMPRENANT UNE COUCHE RESISTANTE, DES MICRO-RAINURES ET UNE COUCHE DIELECTRIQUE
Abrégé
(EN)
An electrostatic clamp for securing a semiconductor wafer during processing. The electrostatic clamp comprises a base member, a resistive layer, a dielectric layer including a gas pressure distribution micro-groove network, a gas gap positioned between a backside of a semiconductor wafer and the dielectric layer, and a pair of high voltage electrodes positioned between the resistive layer and the dielectric layer. The electrostatic clamp can further comprise at least one ground electrode positioned between the resistive layer and the dielectric layer that provides shielding for the gas pressure distribution micro-groove network. The electrostatic clamp is characterized by a heat transfer coefficient of greater than or about 200 mW/Kcm2, a response time of less than or about 1 second, and gas leakage of less than or about 0.5 sccm. It is emphasized that this abstract is provided to comply with the rules requiring an abstract that will allow a searcher or other reader to quickly ascertain the subject matter of the technical disclosure. It is submitted with the understanding that it will not be used to interpret or limit the scope or meaning of the claims. .
(FR)
L'invention concerne une bride électrostatique permettant de fixer une plaquette semi-conductrice pendant le traitement. La bride électrostatique comprend un élément de base, une couche résistante, une couche diélectrique renfermant un réseau de micro-rainures de distribution de pression gazeuse, une lame de gaz positionnée entre l'envers de la plaquette semi-conductrice et la couche diélectrique, ainsi que deux électrodes haute tension positionnées ente la couche résistante et la couche diélectrique. La bride électrostatique peut également comprendre au moins une électrode de terre positionnée entre la couche résistante et la couche diélectrique et servant de protection pour le réseau de micro-rainures de distribution de pression gazeuse. La bride électrostatique est caractérisée en ce qu'elle possède un coefficient de transfert thermique supérieur ou égal environ à 200 mW/Kcm2, un temps de réponse inférieur ou égal environ à 1 seconde et une fuite de gaz inférieure ou égale environ à 0,5 sccm.
Également publié en tant que
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