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1. (WO2004095477) BRIDE ELECTROSTATIQUE HAUTE PERFORMANCE COMPRENANT UNE COUCHE RESISTANTE, DES MICRO-RAINURES ET UNE COUCHE DIELECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/095477    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/012549
Date de publication : 04.11.2004 Date de dépôt international : 21.04.2004
CIB :
H01L 21/683 (2006.01), H02N 13/00 (2006.01)
Déposants : AXCELIS TECHNOLOGIES INC. [US/US]; 108 Cherry Hill Drive, Beverly, MA 01915 (US) (Tous Sauf US).
KELLERMAN, Peter [US/US]; (US) (US Seulement).
BENVENISTE, Victor [US/US]; (US) (US Seulement).
PHARAND, Michel [CA/US]; (US) (US Seulement).
STONE, Dale [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KELLERMAN, Peter; (US).
BENVENISTE, Victor; (US).
PHARAND, Michel; (US).
STONE, Dale; (US)
Données relatives à la priorité :
10/420,329 22.04.2003 US
Titre (EN) HIGH-PERFORMANCE ELECTROSTATIC CLAMP COMPRISING A RESISTIVE LAYER, MICRO-GROOVES, AND DIELECTRIC LAYER
(FR) BRIDE ELECTROSTATIQUE HAUTE PERFORMANCE COMPRENANT UNE COUCHE RESISTANTE, DES MICRO-RAINURES ET UNE COUCHE DIELECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)An electrostatic clamp for securing a semiconductor wafer during processing. The electrostatic clamp comprises a base member, a resistive layer, a dielectric layer including a gas pressure distribution micro-groove network, a gas gap positioned between a backside of a semiconductor wafer and the dielectric layer, and a pair of high voltage electrodes positioned between the resistive layer and the dielectric layer. The electrostatic clamp can further comprise at least one ground electrode positioned between the resistive layer and the dielectric layer that provides shielding for the gas pressure distribution micro-groove network. The electrostatic clamp is characterized by a heat transfer coefficient of greater than or about 200 mW/Kcm2, a response time of less than or about 1 second, and gas leakage of less than or about 0.5 sccm. It is emphasized that this abstract is provided to comply with the rules requiring an abstract that will allow a searcher or other reader to quickly ascertain the subject matter of the technical disclosure. It is submitted with the understanding that it will not be used to interpret or limit the scope or meaning of the claims. .
(FR)L'invention concerne une bride électrostatique permettant de fixer une plaquette semi-conductrice pendant le traitement. La bride électrostatique comprend un élément de base, une couche résistante, une couche diélectrique renfermant un réseau de micro-rainures de distribution de pression gazeuse, une lame de gaz positionnée entre l'envers de la plaquette semi-conductrice et la couche diélectrique, ainsi que deux électrodes haute tension positionnées ente la couche résistante et la couche diélectrique. La bride électrostatique peut également comprendre au moins une électrode de terre positionnée entre la couche résistante et la couche diélectrique et servant de protection pour le réseau de micro-rainures de distribution de pression gazeuse. La bride électrostatique est caractérisée en ce qu'elle possède un coefficient de transfert thermique supérieur ou égal environ à 200 mW/Kcm2, un temps de réponse inférieur ou égal environ à 1 seconde et une fuite de gaz inférieure ou égale environ à 0,5 sccm.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)