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1. WO2004072734 - MASQUE DE TRANSMISSION A ATTENUATION DIFFERENTIELLE POUR AMELIORER LA PROXIMITE DE MOTIFS ISOLES OU DENSES

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Numéro de publication WO/2004/072734
Date de publication 26.08.2004
N° de la demande internationale PCT/EP2004/001216
Date du dépôt international 10.02.2004
CIB
G03C 5/00 2006.1
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
CMATÉRIAUX PHOTOSENSIBLES POUR LA PHOTOGRAPHIE; PROCÉDÉS PHOTOGRAPHIQUES, p.ex. PROCÉDÉS CINÉMATOGRAPHIQUES, AUX RAYONS X, EN COULEURS OU STÉRÉOPHOTOGRAPHIQUES; PROCÉDÉS AUXILIAIRES EN PHOTOGRAPHIE
5Procédés photographiques ou agents à cet effet; Régénération de tels agents de traitement
G03F 1/00 2006.1
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
G03F 9/00 2006.1
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
9Mise en registre ou positionnement d'originaux, de masques, de trames, de feuilles photographiques, de surfaces texturées, p.ex. automatique
CPC
G03F 1/36
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
36Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
G03F 1/50
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
50Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
G03F 7/70283
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70216Systems for imaging mask onto workpiece
70283Masks or their effects on the imaging process, e.g. Fourier masks, greyscale masks, holographic masks, phase shift masks, phasemasks, lenticular masks, multiple masks, tilted masks, tandem masks
Déposants
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • UNITED MICROELECTRONICS CO: [--]/[--] (AllExceptUS)
  • LIN, Benjamin [--]/[US] (UsOnly)
  • LIU, Daniel [CN]/[US] (UsOnly)
  • SCHMIDT, Sebastian [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • LIN, Benjamin
  • LIU, Daniel
  • SCHMIDT, Sebastian
Mandataires
  • KARL, Frank
Données relatives à la priorité
10/364,66411.02.2003US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) TRANSMISSION MASK WITH DIFFERENTIAL ATTENUATION TO IMPROVE ISO-DENSE PROXIMITY
(FR) MASQUE DE TRANSMISSION A ATTENUATION DIFFERENTIELLE POUR AMELIORER LA PROXIMITE DE MOTIFS ISOLES OU DENSES
front page image
Abrégé
(EN) An apparatus, system and method to compensate for the proximity effects in the imaging of patterns in a photolithography process. A light exposure of a photoresist layer is effectuated in predetermined patterns through an exposure mask having light-transmissive openings in correspondence to the predetermined patterns. The exposure mask has areas densely populated with the light-transmissive openings and areas sparsely populated with the light-transmissive openings. Light is attenuated through the densely populated light-transmissive openings by a different amount than through the sparsely populated light-transmissive openings.
(FR) L'invention concerne un appareil, un système et un procédé de compensation des effets de proximité dans l'imagerie de motifs dans un traitement photolithographique. Une exposition à la lumière d'une couche de résine photosensible est effectuée selon des motifs prédéterminés à travers un masque d'exposition présentant des ouvertures transmettant la lumière en correspondance avec les motifs prédéterminés. Le masque d'exposition présente des zones densément peuplées d'ouvertures transmettant la lumière et des zones peu densément peuplées d'ouvertures transmettant la lumière. La lumière est atténuée à travers les ouvertures transmettant la lumière densément peuplées selon une quantité différente de celle à travers les ouvertures transmettant la lumière peu densément peuplées.
Documents de brevet associés
US20040157135
US20060093971
US20100321656
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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