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1. WO2004062083 - OSCILLATEUR COMMANDE EN TENSION DE BIFET

Numéro de publication WO/2004/062083
Date de publication 22.07.2004
N° de la demande internationale PCT/US2003/029256
Date du dépôt international 17.09.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 28.04.2004
CIB
H03B 5/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
BPRODUCTION D'OSCILLATIONS, DIRECTEMENT OU PAR CHANGEMENT DE FRÉQUENCE, À L'AIDE DE CIRCUITS UTILISANT DES ÉLÉMENTS ACTIFS QUI FONCTIONNENT D'UNE MANIÈRE NON COMMUTATIVE; PRODUCTION DE BRUIT PAR DE TELS CIRCUITS
5Production d'oscillation au moyen d'un amplificateur comportant un circuit de réaction entre sa sortie et son entrée
08Eléments déterminant la fréquence comportant des inductances ou des capacités localisées
12l'élément actif de l'amplificateur étant un dispositif à semi-conducteurs
CPC
H03B 2200/0038
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
2200Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
003Circuit elements of oscillators
0038including a current mirror
H03B 5/1215
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
5Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
08with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
12active element in amplifier being semiconductor device
1206using multiple transistors for amplification
1212the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair
1215the current source or degeneration circuit being in common to both transistors of the pair, e.g. a cross-coupled long-tailed pair
H03B 5/1231
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
5Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
08with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
12active element in amplifier being semiconductor device
1231the amplifier comprising one or more bipolar transistors
H03B 5/1243
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
5Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
08with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
12active element in amplifier being semiconductor device
1237comprising means for varying the frequency of the generator
124the means comprising a voltage dependent capacitance
1243the means comprising voltage variable capacitance diodes
Déposants
  • NEWPORT FAB, LLC DBA JAZZ SEMICONDUCTOR [US]/[US]
Inventeurs
  • MA, Pingxi
  • RACANELLI, Marco
Mandataires
  • FARJAMI, Michael
Données relatives à la priorité
10/324,34119.12.2002US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) BiFET VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR
(FR) OSCILLATEUR COMMANDE EN TENSION DE BIFET
Abrégé
(EN)
According to one exemplary embodiment, a VCO core circuit is connected across a first node and a second node. The anode of a first varactor is connected to the first node while the anode of a second varactor is connected to the second node, and the cathode of the first varactor is tied to the cathode of the second varactor. A tuning voltage is also connected to the cathode of the first varactor and the cathode of the second varactor. The inductor is connected across the first node and the second node. A first and second bipolar transistors are configured as a differential pair. A first and second FETs are configured in a common-gate configuration. The drain of the first FET comprises a first output of the BiFET VCO circuit, while the drain of the second FET comprises a second output of the BiFET VCO circuit.
(FR)
Dans un mode de réalisation, un circuit principal d'oscillateur commandé en tension (VCO) est branché à un premier noeud et à un deuxième noeud. L'anode d'un premier varactor est branchée sur le premier noeud tandis que l'anode d'un deuxième varactor est branchée sur le deuxième noeud, la cathode de ce premier varactor étant reliée à la cathode du deuxième varactor. Une tension d'accord est également couplée à la cathode du premier varactor et à la cathode du deuxième varactor. La bobine d'induction est raccordée au premier noeud et au deuxième noeud. Un premier et un deuxième transistor bipolaire sont conçus sous forme de paire différentielle. Un premier et un deuxième transistor à effet de champ (FET) sont conçus selon une configuration de grille commune. Le drain du premier FET comprend une première sortie du circuit de l'oscillateur commandé en tension de la paire de transistors à effet de champ (BiFET VCO), tandis que le drain du deuxième FET comprend une deuxième sortie de ce circuit.
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