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1. (WO2004062083) OSCILLATEUR COMMANDE EN TENSION DE BIFET
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/062083    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/029256
Date de publication : 22.07.2004 Date de dépôt international : 17.09.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.04.2004    
CIB :
H03B 5/12 (2006.01)
Déposants : NEWPORT FAB, LLC DBA JAZZ SEMICONDUCTOR [US/US]; 4321 Jamboree Road, Newport Beach, CA 92660 (US)
Inventeurs : MA, Pingxi; (US).
RACANELLI, Marco; (US)
Mandataire : FARJAMI, Michael; Farjami & Farjami LLP, 26522 La Alameda Avenue, Suite 360, Mission Viejo, CA 92691 (US)
Données relatives à la priorité :
10/324,341 19.12.2002 US
Titre (EN) BiFET VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR
(FR) OSCILLATEUR COMMANDE EN TENSION DE BIFET
Abrégé : front page image
(EN)According to one exemplary embodiment, a VCO core circuit is connected across a first node and a second node. The anode of a first varactor is connected to the first node while the anode of a second varactor is connected to the second node, and the cathode of the first varactor is tied to the cathode of the second varactor. A tuning voltage is also connected to the cathode of the first varactor and the cathode of the second varactor. The inductor is connected across the first node and the second node. A first and second bipolar transistors are configured as a differential pair. A first and second FETs are configured in a common-gate configuration. The drain of the first FET comprises a first output of the BiFET VCO circuit, while the drain of the second FET comprises a second output of the BiFET VCO circuit.
(FR)Dans un mode de réalisation, un circuit principal d'oscillateur commandé en tension (VCO) est branché à un premier noeud et à un deuxième noeud. L'anode d'un premier varactor est branchée sur le premier noeud tandis que l'anode d'un deuxième varactor est branchée sur le deuxième noeud, la cathode de ce premier varactor étant reliée à la cathode du deuxième varactor. Une tension d'accord est également couplée à la cathode du premier varactor et à la cathode du deuxième varactor. La bobine d'induction est raccordée au premier noeud et au deuxième noeud. Un premier et un deuxième transistor bipolaire sont conçus sous forme de paire différentielle. Un premier et un deuxième transistor à effet de champ (FET) sont conçus selon une configuration de grille commune. Le drain du premier FET comprend une première sortie du circuit de l'oscillateur commandé en tension de la paire de transistors à effet de champ (BiFET VCO), tandis que le drain du deuxième FET comprend une deuxième sortie de ce circuit.
États désignés : CN, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)