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1. WO2004061971 - STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE DE NITRURE DE TYPE-P ET TRANSISTOR BIPOLAIRE

Numéro de publication WO/2004/061971
Date de publication 22.07.2004
N° de la demande internationale PCT/JP2004/000014
Date du dépôt international 06.01.2004
CIB
H01L 21/331 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
328Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors
33les dispositifs comportant trois électrodes ou plus
331Transistors
H01L 29/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
12caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
20comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/737 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70Dispositifs bipolaires
72Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
73Transistors bipolaires à jonction
737Transistors à hétérojonction
CPC
H01L 21/28575
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes ; conducting electric current
285from a gas or vapour, e.g. condensation
28506of conductive layers
28575on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
H01L 29/2003
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
20including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
2003Nitride compounds
H01L 29/66318
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66234Bipolar junction transistors [BJT]
6631with an active layer made of a group 13/15 material
66318Heterojunction transistors
H01L 29/7371
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
70Bipolar devices
72Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
73Bipolar junction transistors
737Hetero-junction transistors
7371Vertical transistors
Déposants
  • 日本電信電話株式会社 NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 牧本 俊樹 MAKIMOTO, Toshiki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 熊倉 一英 KUMAKURA, Kazuhide [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 小林 直樹 KOBAYASHI, Naoki [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 牧本 俊樹 MAKIMOTO, Toshiki
  • 熊倉 一英 KUMAKURA, Kazuhide
  • 小林 直樹 KOBAYASHI, Naoki
Mandataires
  • 谷 義一 TANI, Yoshikazu
Données relatives à la priorité
2003-00008906.01.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) P-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND BIPOLAR TRANSISTOR
(FR) STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE DE NITRURE DE TYPE-P ET TRANSISTOR BIPOLAIRE
(JA) p型窒化物半導体構造及びバイポーラトランジスタ
Abrégé
(EN)
A p-type nitride semiconductor structure having an ohmic characteristic greatly improved by re-growing a p-type nitride semiconductor containing In on a p-type nitride semiconductor that have received process-induced damage and thereby remedying the process-induced damage is disclosed. Further, a p-type nitride semiconductor bipolar transistor having a greatly improved current gain and a greatly improved rise voltage is also disclosed. A p-type nitride semiconductor layer (8) containing In is formed on a p-type nitride semiconductor (2) processed by etching. In a bipolar transistor having a base layer of p-type nitride semiconductor, a p-type InGaN base layer (8) containing In is formed by regrowth on a p-type InGaN base layer (2) exposed by etching an emitter layer (1).
(FR)
La présente invention se rapporte à une structure semi-conductrice de nitrure de type-p présentant une caractéristique ohmique que l'on améliore considérablement en permettant une nouvelle croissance d'un semi-conducteur de nitrure de type-p contenant In sur un semi-conducteur de nitrure de type-p qui a subi un dommage induit par un traitement, ceci permettant de remédier audit dommage induit par le traitement. En outre, l'invention concerne un transistor bipolaire à semi-conducteur de nitrure de type-p ayant un gain de courant considérablement amélioré ainsi qu'une hausse de tension considérablement améliorée. Une couche de semi-conducteur de nitrure de type-p (8) contenant In est formée sur un semi-conducteur de nitrure de type-p (2) traité par gravure. Dans un transistor bipolaire ayant une couche de semi-conducteur de nitrure de type-p, une couche de base InGaN de type-p (8) contenant In est formée au moyen d'une nouvelle croissance d'une couche de base InGaN de type-p (2) exposée du fiat de la gravure d'une couche émettrice (1).
(JA)
本発明は、加工ダメージのあるp型窒化物半導体上にInを含むp型窒化物半導体を再成長することにより、加工ダメージが修復され、オーミック特性が大幅に改善されたp型窒化物半導体構造を提供すること、また、電流利得および立ち上がり電圧を大幅に改善することができるp型窒化物半導体バイポーラトランジスタを提供することである。エッチングによる加工を施したp型窒化物半導体(2)上に、Inを含むp型窒化物半導体層(8)を設ける。また、ベース層がp型窒化物半導体であるバイポーラトランジスタにおいて、エミッタ層(1)をエッチングすることにより露出されたp型InGaNべース層(2)の表面に、再成長させたInを含むp型InGaNベース層(8)を設ける。
Également publié en tant que
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