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1. (WO2004061971) STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE DE NITRURE DE TYPE-P ET TRANSISTOR BIPOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/061971    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/000014
Date de publication : 22.07.2004 Date de dépôt international : 06.01.2004
CIB :
H01L 21/331 (2006.01), H01L 29/20 (2006.01), H01L 29/737 (2006.01)
Déposants : NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP/JP]; 3-1, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008116 (JP) (Tous Sauf US).
MAKIMOTO, Toshiki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUMAKURA, Kazuhide [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOBAYASHI, Naoki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MAKIMOTO, Toshiki; (JP).
KUMAKURA, Kazuhide; (JP).
KOBAYASHI, Naoki; (JP)
Mandataire : TANI, Yoshikazu; 6-20, Akasaka 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-000089 06.01.2003 JP
Titre (EN) P-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND BIPOLAR TRANSISTOR
(FR) STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE DE NITRURE DE TYPE-P ET TRANSISTOR BIPOLAIRE
(JA) p型窒化物半導体構造及びバイポーラトランジスタ
Abrégé : front page image
(EN)A p-type nitride semiconductor structure having an ohmic characteristic greatly improved by re-growing a p-type nitride semiconductor containing In on a p-type nitride semiconductor that have received process-induced damage and thereby remedying the process-induced damage is disclosed. Further, a p-type nitride semiconductor bipolar transistor having a greatly improved current gain and a greatly improved rise voltage is also disclosed. A p-type nitride semiconductor layer (8) containing In is formed on a p-type nitride semiconductor (2) processed by etching. In a bipolar transistor having a base layer of p-type nitride semiconductor, a p-type InGaN base layer (8) containing In is formed by regrowth on a p-type InGaN base layer (2) exposed by etching an emitter layer (1).
(FR)La présente invention se rapporte à une structure semi-conductrice de nitrure de type-p présentant une caractéristique ohmique que l'on améliore considérablement en permettant une nouvelle croissance d'un semi-conducteur de nitrure de type-p contenant In sur un semi-conducteur de nitrure de type-p qui a subi un dommage induit par un traitement, ceci permettant de remédier audit dommage induit par le traitement. En outre, l'invention concerne un transistor bipolaire à semi-conducteur de nitrure de type-p ayant un gain de courant considérablement amélioré ainsi qu'une hausse de tension considérablement améliorée. Une couche de semi-conducteur de nitrure de type-p (8) contenant In est formée sur un semi-conducteur de nitrure de type-p (2) traité par gravure. Dans un transistor bipolaire ayant une couche de semi-conducteur de nitrure de type-p, une couche de base InGaN de type-p (8) contenant In est formée au moyen d'une nouvelle croissance d'une couche de base InGaN de type-p (2) exposée du fiat de la gravure d'une couche émettrice (1).
(JA)本発明は、加工ダメージのあるp型窒化物半導体上にInを含むp型窒化物半導体を再成長することにより、加工ダメージが修復され、オーミック特性が大幅に改善されたp型窒化物半導体構造を提供すること、また、電流利得および立ち上がり電圧を大幅に改善することができるp型窒化物半導体バイポーラトランジスタを提供することである。エッチングによる加工を施したp型窒化物半導体(2)上に、Inを含むp型窒化物半導体層(8)を設ける。また、ベース層がp型窒化物半導体であるバイポーラトランジスタにおいて、エミッタ層(1)をエッチングすることにより露出されたp型InGaNべース層(2)の表面に、再成長させたInを含むp型InGaNベース層(8)を設ける。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)