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1. (WO2004061924) PROCEDE DE FABRICATION D’UN COMPOSE I-III-VI EN COUCHES MINCES, FAVORISANT L’INCORPORATION D’ELEMENTS III DANS LA COUCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/061924    N° de la demande internationale :    PCT/FR2003/003887
Date de publication : 22.07.2004 Date de dépôt international : 23.12.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.05.2004    
CIB :
H01L 21/208 (2006.01), H01L 21/365 (2006.01), H01L 31/032 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : ELECTRICITE DE FRANCE (SOCIETE ANONYME) [FR/FR]; 22-30, rue Wagram, F-75008 Paris (FR) (Tous Sauf US).
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE -CNRS- [FR/FR]; 3, rue Michel-Ange, F-75794 Paris Cedex 16 (FR) (Tous Sauf US).
TAUNIER, Stéphane [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
GUIMARD, Denis [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
LINCOT, Daniel [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
GUILLEMOLES, Jean-François [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
GRAND, Pierre-Philippe [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : TAUNIER, Stéphane; (FR).
GUIMARD, Denis; (FR).
LINCOT, Daniel; (FR).
GUILLEMOLES, Jean-François; (FR).
GRAND, Pierre-Philippe; (FR)
Mandataire : LOUISET, Raphaël.; Cabinet Plasseraud, 65/67, rue de la Victoire, F-75440 Paris Cedex 9 (FR).
HASSINE, Albert; Cabinet Plasseraud, 65/67, rue de la Victoire, F-75440 Paris Cedex 9 (FR)
Données relatives à la priorité :
02/16711 26.12.2002 FR
Titre (EN) METHOD OF PRODUCING THIN FILMS OF COMPOUND I-III-VI, PROMOTING THE INCORPORATION OF III ELEMENTS IN THE FILM
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D’UN COMPOSE I-III-VI EN COUCHES MINCES, FAVORISANT L’INCORPORATION D’ELEMENTS III DANS LA COUCHE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method of producing thin films of compound CIGS by means of electrodeposition. According to the invention, a surface-active compound, such as dodecyl sodium sulphate, is added to an electrolysis bath solution in order to promote the incorporation of gallium in the CIGS films.
(FR)L'invention concerne la fabrication par électrodéposition de composé CIGS en couches minces. Selon l'invention, on ajoute à la solution d'un bain d'électrolyse un composé tensioactif, tel que du dodécylsulfate de sodium, pour favoriser l'incorporation de gallium dans les couches de CIGS.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)