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1. WO2004061922 - PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE SUPPORT POUR DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2004/061922
Date de publication 22.07.2004
N° de la demande internationale PCT/US2003/039876
Date du dépôt international 16.12.2003
CIB
H01S 5/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
02Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01L 21/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H01L 33/00 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H01S 5/183 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
10Structure ou forme du résonateur optique
18Lasers à émission de surface
183ayant une cavité verticale
CPC
H01L 21/02395
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02387Group 13/15 materials
02395Arsenides
H01L 21/02543
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02538Group 13/15 materials
02543Phosphides
H01L 21/02546
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02538Group 13/15 materials
02546Arsenides
H01L 33/0093
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0093Wafer bonding; Removal of the growth substrate
H01S 5/0217
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
0206Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding;
0217Removal of the substrate
H01S 5/0224
Déposants
  • NOVALUX, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • CAREY, Glen
  • JENKS, Ian
  • LEWIS, Alan
  • LUJAN, Rene
  • ZHOU, Hailong
Mandataires
  • O'DOWD, Shawn, W.
Données relatives à la priorité
60/434,67120.12.2002US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF FABRICATION OF A SUPPORT STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE SUPPORT POUR DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé
(EN)
A method of fabricating a semiconductor device is described. In this method, a starting substrate of sufficient thickness is selected that has the required defect density levels, which may result in an undesirable doping level. Then a semiconductor layer having a desired doping level is formed on the starting substrate. The resulting semiconductor layer has the required defect density and doping levels for the final product application. After active components, electrical conductors, and any other needed structures are formed on the semiconductor layer, the starting substrate is removed leaving a desired thickness of the semiconductor layer. In a VECSEL application, the active components can be a gain cavity, where the semiconductor layer has the necessary defect density and doping levels to maximize wall plug efficiency (WPE). In one embodiment, the doping of the semiconductor layer is not uniform. For example, a majority of the layer is doped at a low level and the remainder is doped at a much higher level. This can result in improved WPE at particular thicknesses for the higher doped material.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur. Selon ce procédé, un substrat de départ d'une épaisseur suffisante est sélectionné, il présente les niveaux de densité des défauts requis qui peuvent déboucher sur un niveau de dopage non souhaitable. Puis, une couche semi-conductrice possédant un niveau de dopage souhaité est formée sur le substrat de départ. La couche semi-conductrice résultante présente la densité des défauts et les niveaux de dopage requis pour l'application du produit final. Après les composants actifs, c'est au tour des conducteurs électriques et de toute autre structure nécessaire d'être formés sur la couche semi-conductrice, le substrat de départ est éliminé, ce qui permet de parvenir à une épaisseur souhaitée de la couche semi-conductrice. Dans une application VECSEL, les composants actifs peuvent être une cavité de gain, où la couche semi-conductrice possède la densité des défauts et les niveaux de dopage nécessaires pour optimiser l'efficacité d'une prise murale. Dans un mode de réalisation, le dopage de la couche semi-conductrice n'est pas uniforme. Par exemple, une majeure partie de la couche est dopée à un niveau faible et le reste est dopé à un niveau beaucoup plus élevé. Ceci permet d'obtenir une prise murale améliorée aux épaisseurs spécifiques pour le matériel dopé supérieur.
Également publié en tant que
RU2005122937
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