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1. (WO2004061920) PROCEDE DE FORMATION D'UNE COUCHE CONTRAINTE EPAISSE DE SILICIUM ET STRUCTURES DE SEMI-CONDUCTEURS INCORPORANT UNE TELLE COUCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/061920    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/034673
Date de publication : 22.07.2004 Date de dépôt international : 30.10.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.07.2004    
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place, Mail Stop 68, P.O. Box 3453, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Inventeurs : WANG, Haihong; (US).
BESSER, Paul, R.; (US).
GOO, Jung-Suk; (US).
NGO, Minh, Van; (US).
PATON, Eric, N.; (US).
XIANG, Qi; (US)
Mandataire : COLLOPY, Daniel, R.; Advanced Micro Devices, Inc., One AMD Place, Mail Stop 68, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Données relatives à la priorité :
10/335,447 31.12.2002 US
Titre (EN) METHOD OF FORMING A THICK STRAINED SILICON LAYER AND SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCORPORATING A THICK STRAINED SILICON LAYER
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UNE COUCHE CONTRAINTE EPAISSE DE SILICIUM ET STRUCTURES DE SEMI-CONDUCTEURS INCORPORANT UNE TELLE COUCHE
Abrégé : front page image
(EN)A strained silicon layer (50) s grown on a layer of silicon germanium (40) and a layer of silicon germanium (52) is grown on the strained silicon (50) in a single continuous in situ deposition process with the strained silicon (50). Shallow trench isolations (48) are formed in the lower layer of silicon germanium (40) prior to formation of the strained silicon layer (50). The two silicon germanium layers (40, 52) effectively provide dual substrates at both surfaces of the strained silicon layer (50) that serve to maintain the tensile strain of the strained silicon layer (50) and resist the formation of misfit dislocations that might otherwise result from temperature changes during processing. Consequently the critical thickness of strained silicon (50) that can be grown without significant misfit dislocations during later processing is effectively doubled for a given germanium content of the silicon germanium layers (40, 52). The formation of shallow trench isolations (48) prior to formation of the strained silicon layer (50) avoids subjecting the strained silicon (50) layer to extreme thermal stresses and further reduces the formation of misfit dislocations.
(FR)On fait croître une couche contrainte de silicium (50), et on fait croître une couche de silicium germanium (40), sur la couche de silicium (50) par un unique procédé in situ en continu de dépôt sur la couche de silicium (50). Des tranchées peu profondes d'isolation sont formés sur la couche inférieure de silicium germanium (40) avant la formation de la couche contrainte de silicium (50). Les couches (40) et (52) constituent sur les deux surfaces de la couche contrainte de silicium (50) des substrats doubles servant à maintenir les contraintes de traction de la couche contrainte de silicium (50) et à résister à la formation de défauts de localisation pouvant sinon provoquer des variations de température pendant le traitement. On peut ainsi effectivement doubler l'épaisseur critique de la couche contrainte de silicium (50) pouvant croître sans produire de défauts de localisation significatifs à la fin du traitement et cela pour une teneur donnée en germanium des couches (40) et (52). Par ailleurs la formation de tranchées d'isolation (48) avant celle de la couche contrainte de silicium (50) empêche de la soumettre à des contraintes thermiques extrêmes, tout en réduisant les défauts de localisation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)