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1. WO2004061166 - GENERATEUR DE CHALEUR AU GRAPHITE PERMETTANT DE PRODUIRE UN CRISTAL UNIQUE, SYSTEME DE PRODUCTION DE CRISTAL UNIQUE ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CRISTAL UNIQUE

Numéro de publication WO/2004/061166
Date de publication 22.07.2004
N° de la demande internationale PCT/JP2003/015655
Date du dépôt international 08.12.2003
CIB
C30B 15/14 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
14Chauffage du bain fondu ou du matériau cristallisé
CPC
C30B 15/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
14Heating of the melt or the crystallised materials
Y10T 117/10
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
117Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
10Apparatus
Déposants
  • SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • SAKURADA, Masahiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • FUSEGAWA, Izumi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • SOETA, Satoshi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • IIDA, Makoto [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • SAKURADA, Masahiro
  • FUSEGAWA, Izumi
  • SOETA, Satoshi
  • IIDA, Makoto
Mandataires
  • YOSHIMIYA, Mikio
Données relatives à la priorité
2002-38229127.12.2002JP
2002-38230727.12.2002JP
2002-38231727.12.2002JP
2003-11169416.04.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) GRAPHITE HEATER FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL, SINGLE CRYSTAL PRODUCTIN SYSTEM AND SINGLE CRYSTAL PRODUCTIN METHOD
(FR) GENERATEUR DE CHALEUR AU GRAPHITE PERMETTANT DE PRODUIRE UN CRISTAL UNIQUE, SYSTEME DE PRODUCTION DE CRISTAL UNIQUE ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CRISTAL UNIQUE
(JA) 単結晶製造用黒鉛ヒーター及び単結晶製造装置ならびに単結晶製造方法
Abrégé
(EN)
A graphite heater for producing single crystal by Czochralski method provided with a terminal being supplied with a current and a tubular heat generating section employing resistive heating and being disposed to surround a crucible containing melting material liquid, characterized in that the heat generating section has a heat generating slit section arranged alternately with upper slits extending downward from the upper end thereof and lower slits extending upward from the lower end thereof, at least one upper slit has a length different from that of other upper slits and/or at least one lower slit has a length different from that of other lower slits so that distribution of heat generation at the heat generating section is altered. When a silicon single crystal is pulled up in a specified flawless region or a specified flaw region, the silicon single crystal can be produced with a high production efficiency.
(FR)
L'invention concerne un générateur de chaleur au graphite qui permet de produire un cristal unique au moyen de la technique de Czochralski. Ce générateur de chaleur est pourvu d'une borne qui est alimentée par un courant et d'une section génératrice de chaleur tubulaire qui utilise le chauffage ohmique et qui est disposée de façon qu'elle entoure un creuset contenant un matériau liquide en fusion. Ce générateur de chaleur est caractérisé en ce que : la section génératrice de chaleur comprend une section de fentes génératrices de chaleur disposées en alternance de façon que les fentes supérieures soient orientées vers le bas à partir de leur extrémité supérieure et que les fentes inférieures soient orientées vers le haut à partir de leur extrémité inférieure ; au moins une fente supérieure présente une longueur différente de celle d'autres fentes supérieures et/ou au moins une fente inférieure présente une longueur différente de celle d'autres fentes inférieures de façon à modifier la distribution de la génération de chaleur au niveau de la section génératrice de chaleur. Lorsqu'un cristal unique de silicium est tiré dans une région spécifique exempte de défauts ou dans une région spécifique de défauts, le cristal unique de silicium peut être produit avec une efficacité élevée.
(JA)
本発明は、少なくとも、電流が供給される端子部と、抵抗加熱による円筒状発熱部とが設けられ、原料融液を収容するルツボを囲繞するように配置される、チョクラルスキー法により単結晶を製造する場合に用いられる黒鉛ヒーターであって、前記発熱部は、その上端から下へ延びる上スリットと、その下端から上へ延びる下スリットが交互に設けられて発熱スリット部を形成したものであり、かつ前記上スリットのうち少なくとも1つのスリットの長さが他の上スリットと異なり、及び/又は、前記下スリットのうち少なくとも1つのスリットの長さが他の下スリットと異なるものとして前記発熱部の発熱分布を変更したものであることを特徴とする単結晶製造用黒鉛ヒーターである。これにより、所定無欠陥領域又は所定欠陥領域でシリコン単結晶を引き上げる場合に、そのシリコン単結晶を高い生産効率で製造することを可能にする単結晶製造用黒鉛ヒーターを提供することができる。
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