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1. WO2004059689 - PROCEDE ET APPAREIL DE SURVEILLANCE D'UN PLASMA DANS UN SYSTEME DE TRAITEMENT DE MATERIAUX

Numéro de publication WO/2004/059689
Date de publication 15.07.2004
N° de la demande internationale PCT/IB2003/006458
Date du dépôt international 25.11.2003
CIB
H01J 37/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H01L 21/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
CPC
H01J 37/32082
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
H01J 37/32935
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32917Plasma diagnostics
32935Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
H01L 21/67069
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
67063for etching
67069for drying etching
H01L 21/67253
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Déposants
  • TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
Inventeurs
  • KLEKOTKA, James, E.
Mandataires
  • SUZUYE, Takehiko
Données relatives à la priorité
10/331,34131.12.2002US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD AND APPARATUS FOR MONITORING A PLASMA IN A MATERIAL PROCESSING SYSTEM
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE SURVEILLANCE D'UN PLASMA DANS UN SYSTEME DE TRAITEMENT DE MATERIAUX
Abrégé
(EN)
The present invention presents an improved apparatus and method for monitoring a material processing system (100), wherein the material processing system includes a plasma processing tool, a number of RF-responsive sensors (190) coupled to the plasma processing tool to generate and transmit plasma data, and a sensor interface assembly (SIA) (180) configured to receive the plasma data from the plurality of RF-responsive sensors.
(FR)
L'invention porte sur un appareil amélioré (et le procédé associé) de surveillance d'un matériau comportant: un outil de traitement au plasma; plusieurs détecteurs sensibles aux RF reliés audit outil et produisant et transmettant des données relatives au plasma; et un ensemble d'interfaces de détecteurs recevant les données des différents détecteurs sensibles aux RF.
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