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1. (WO2004057658) TRANSISTOR MIS A GRILLE AUTO-ALIGNEE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/057658    N° de la demande internationale :    PCT/FR2003/050173
Date de publication : 08.07.2004 Date de dépôt international : 15.12.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    30.06.2004    
CIB :
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/51 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE [FR/FR]; 31-33 rue de la Fédération, F-75752 PARIS 15ème (FR) (Tous Sauf US).
DELEONIBUS, Simon [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : DELEONIBUS, Simon; (FR)
Mandataire : POULIN, Gérard; c/o BREVATOME, 3 rue du Docteur Lancereaux, F-75008 PARIS (FR)
Données relatives à la priorité :
02 15916 16.12.2002 FR
Titre (EN) MIS TRANSISTOR WITH SELF-ALIGNED GATE AND METHOD FOR MAKING SAME
(FR) TRANSISTOR MIS A GRILLE AUTO-ALIGNEE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a MIS transistor having a T-shaped gate characterized by the presence of a shape material (14) coating a solid T shape. The gate structure is housed in the envelope formed by the shape material (14). The coating of the T shape of the gate by the shape material (14) is carried out right from the beginning of the production of the gate structure and is selected such that it is resistant to all the subsequent processes for manufacturing the transistor and is maintained, thereby defining the final shape of the gate structure, thus resulting in a perfectly controlled gate shape.
(FR)Un transistor MIS ayant une grille en T est caractérisé par la présence d'un matériau (14) de forme enrobant une forme pleine en T. La structure de grille est logée dans l'enveloppé formée par le matériau de forme (14) . L'enrobage de la forme en T de la grille par le matériau de forme (14) est réalisé dès le début de la réalisation de la structure de grille et est choisi de façon telle qu'il résiste à tous les traitements ultérieurs de fabrication du transistor et subsiste, définissant ainsi la forme définitive de la structure de grille. On obtient ainsi une forme de grille parfaitement contrôlée.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)